碳化硅mosfet驱动芯片大幅提升使用效率

雨后彩虹呀

近年来，碳化硅器件的实际工程应用，正在受到越来越广泛的关注。主要原因是相对于传统器件，碳化硅mosfet驱动芯片无论性能或者损耗，都有明显的减小。

安森美半导体最近推出 NVMFS015N10MCL单N沟道功率的碳化硅mosfet驱动芯片，采用高效的紧凑型设计，具有较高散热功能，通过高效散热，大幅提升芯片的使用寿命。不断通过设计改革，提高产品自身质量，并且相对其他品牌同类产品的使用寿命，也有大幅提升。

为了降低损耗，NVMFS015N10MCL采用了低RDS(on)值，最大限度的降低了导通损耗，同时还应用低栅极电荷 (QG)/电容，可将驱动器损耗降到最低。通过降低耗损，提高了使用效益，也可以增加安全性能。

这样，NVMFS015N10MCL碳化硅mosfet驱动芯片无论是耗损，还是使用寿命，都有大幅提高，能充分满足现在器件的使用要求。对于安全方面，提升了抗干扰性，对安全保护功能有所加强，同时也符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。

碳化硅mosfet驱动芯片的应用已经非常广泛，比较典型的运用包括开关电源，电机控制的电源开关，电磁阀驱动器中的反向电池保护等方面。由于其良好的性能和较低的价格，也会将在更多的领域得到运用。

相信在未来的碳化硅器件使用过程中，mosfet驱动芯片的使用频率会逐渐增加，使用效率也会大幅提高。产品将被广泛运用，被更多人所关注和青睐。