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[求助] MCU power gating方式

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发表于 2020-11-25 09:32:02 | 显示全部楼层 |阅读模式

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MCU除了数字部分(cpu+外设+memory),还有模拟部分(ADC/OSC/LDO/DCDC等),想分两个power domain,对于低功耗状态下power gating的方式,1. 通过数字控制关LDO; 2. 在数字内插power switch cell,走后端流程; 想请问应该选择哪种方式,如何评估?
发表于 2020-11-25 10:21:30 | 显示全部楼层
模拟电路如果是LDO供电,直接关LDO。OSC应该always on的。 做得好的可以降频,高频的OSC部分可以关掉。 要做到无 glitch 切换。
数字恐怕不止两个power domain。 肯定有一部分数字是 always on的。 另一部分可以用power switch cell关掉,也可以用LDO。根据面积,功耗,比较两个方案。  
 楼主| 发表于 2020-11-25 10:47:55 | 显示全部楼层


jake 发表于 2020-11-25 10:21
模拟电路如果是LDO供电,直接关LDO。OSC应该always on的。 做得好的可以降频,高频的OSC部分可以关掉。 要 ...


Thanks jake.
模拟部分时钟有低频32K RC/XTAL OSC,高频RC/XTAL OSC以及PLL,在休眠模式下,只保留低频的RC/XTAL OSC,其他都关掉;
数字部分方案:1.有两个LDO供电,休眠模式下只保留一个低功耗LDO供数字PMU/RTC用;2. 用一个LDO供电,休眠模式通过数字内部power switch cell来关;
想再请问下,评估这两个方案:1. 从面积上看加一个LDO和加power switch cel的面积比较? 2. 从功耗比较哪个方案leakage会小? 3. 从其他资料看,关LDO方案的唤醒时间会长一些; 4. 对于唤醒后,会有数字部分浪涌的大电流,该如何避免?


发表于 2020-11-25 11:06:25 | 显示全部楼层
OSC 的方案很经典。 看来大家思路都差不太多。
1, 2 无法回答。这都跟具体设计有关,跟工艺有关。 一般power switch off domain的数字部分很大,感觉还是LDO更方便一些。 power switch cell会用得比较多,全部加起来占的面积不小。
3 确实是潜在的问题。一般应用场景应该可以容忍唤醒时间。 具体要看LDO设计。
4 LDO设计应该考虑到唤醒时的大电流。 如果用power switch cell,一般是可以依次打开,而不是同时打开。
 楼主| 发表于 2020-11-25 11:43:44 | 显示全部楼层


jake 发表于 2020-11-25 11:06
OSC 的方案很经典。 看来大家思路都差不太多。
1, 2 无法回答。这都跟具体设计有关,跟工艺有关。 一般pow ...


Thanks, jake.

Appreciate your quick reply.
对我帮助很大,我在考虑考虑

发表于 2021-1-4 09:25:12 | 显示全部楼层
mark。。。。
发表于 2021-4-21 11:58:25 | 显示全部楼层
看大佬讨论学习了
发表于 2021-10-9 16:27:56 | 显示全部楼层
学习一下
发表于 2022-12-5 15:34:08 | 显示全部楼层
本帖最后由 happy/ed 于 2022-12-5 15:42 编辑

楼主,小白提问,请问下power switch cell走后端流程的意思是什么?是说在place阶段加power switch cell嘛?请问数字可综合的LDO可不可以像power switch cell一样走后端流程呢?
发表于 2023-2-15 10:29:06 | 显示全部楼层
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