关于修改TSMC0.18工艺中MOS管阈值电压Vth模型的问题

liaohero

   

先生燕Sir 发表于 2020-11-20 13:14
因为要做低温下的电路，需要改阈值电压迁移率等参数

溫度 還是掛fab 給的參數!!!!!!

lire2012

楼主不知道最后有结果了吗？最近也在研究这个，厂商给的所有参数，只在-40度到125度有效，低温下会出现冻析效应，原有vtho就会不准，可以改，只为自己预测电路，但是仅改这一参数是远远不够的，电迁移率uo 饱和速度vsat以及他们的各种退化因子都得改，还是建议直接联系厂商进行提参，但是这种低温，只有军工用，中芯这种厂商肯定不愿意跟你合作，比较难开展工作

liaohero

自己改沒意義，您不知參數改了也只是自己覺的，怎麼不走正規流程

wannabe_6

   

chedanzhuzhu 发表于 2020-11-23 09:53
这块是model auto selection,根据mos的w,l的范围自动选择用里面的1，2，3或者别的
...

那请问这个数字是单纯的宽长比结果吗？还是说不是？如果不是，那是什么东西计算得到的结果？

wannabe_6

   

chedanzhuzhu 发表于 2020-11-23 15:20
你看里面前几行有lmin,lmax是l的范围，wmin,wmax是w的范围

刚刚没看到这条信息，那意思是前面的数字1到16仅仅是一个编号，如何选取对应编号的模型，是根据宽和长在哪个模型宽、长范围里面，是这么个意思吗？