GRNMOS中R对vt1的影响

翔子zkx · 发表于 2020-10-21 22:52:17

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资料显示，GRNMOS中的R大小可以改变Vt1的大小，R越大，Vt1越小，请教一下：
1.R是如何改变Vt1大小的？原理是？有没有相关的资料推荐一下？
2.GRNMOS利用的是GD之间寄生的电容，但是0.18um工艺中，W=400um的ESD结构电容值也就100ff左右，Vt1更Cgd电容有没有关系？

andyjackcao · 发表于 2020-10-23 21:36:35

本帖最后由 andyjackcao 于 2020-10-23 21:37 编辑

1），在站内，搜索下ESD，有很多ESD的资料，任何一本看完了，都十分不错

2），理论上，R/Cgd越大，Vt1越小

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