在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 1488|回复: 1

[求助] 关于输入端口带二极管宏单元,天线效应antenna.lef中数据计算方式

[复制链接]
发表于 2020-9-17 09:32:14 来自手机 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
smic提供的memory的端口都加接衬底的二极管,应该避免了天线效应,他们提供的clf文件的所有输入端口gateSise的值都是统一的比较小的值0.00224,我想请教一下这个数值是怎样计算得来的,与二极管面积0.2116.周长1.84有关系吗?
 楼主| 发表于 2020-9-18 15:49:19 来自手机 | 显示全部楼层
二极管等效方程=(max-diode-protection+v1)*v2+v3,和给出的gateSize有关吗?
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

×

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-5 16:29 , Processed in 0.013449 second(s), 6 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表