今个面试被问到，为啥模拟电路MOS管要工作在饱和区？

ccmos · 发表于 2020-9-14 23:03:31

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如题，今天小弟面试被问到了，突然被这么一问还真有点措手不及，匆忙中说出个饱和区的增益大，面试官笑了，他说可以还可以从噪声的角度考虑，请问大家如何看待？

dogdogdogodo · 发表于 2020-9-15 00:12:16

帮顶！等大佬指点！

rclic2014 · 发表于 2020-9-15 01:07:35

数字电路，不是用来放大的

hx123 · 发表于 2020-9-15 08:48:47

饱和区，Id主要由Vgs控制

余闲人 · 发表于 2020-9-15 08:49:35

顶一个，菜鸟坐等大佬

perfectguo · 发表于 2020-9-15 09:15:17

饱和区的mos管可以近似为一个压控器件（忽略沟道调制效应），电流和跨导与Vgs正相关，且此时的输出电阻大

IC_Shawn · 发表于 2020-9-15 09:26:57

顶一个，菜鸟坐等大佬

polestar707 · 发表于 2020-9-15 09:51:56

hx123 发表于 2020-9-15 08:48
饱和区，Id主要由Vgs控制

感觉目前这个答案最佳。
本来想说 rds 在饱和区大，频率特性在饱和区最优，但转念一想这些似乎都是表象，不是原因。
感觉问题似乎应该是为什么作为放大器的MOS工作在饱和区。这样就好回答了。

MOS有时是专门工作在线性区的。

acging · 发表于 2020-9-15 10:35:39

I-V关系角度，希望变量越少越好，这样设计也较为简便。
饱和区电流只是vgs函数。
亚阈值区也是vgs函数，但是速度有限，而且费面积。
线性区电流是vds和vgs函数，多一个变量。

VAEEE · 发表于 2020-9-16 20:36:16

好像是亚阈值区噪声大？

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