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[求助] 请教大佬,SMIC55版图中DG和TG层是干什么用的?

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发表于 2020-9-11 11:48:16 | 显示全部楼层 |阅读模式

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用高压器件的时候,发现1.8V器件和2.5V器件分别比1.2V器件多了DG layer和TG layer,不知道他们具体的作用是什么?还是只是起个器件识别的作用?
发表于 2020-9-11 13:08:49 来自手机 | 显示全部楼层
没有过smic的工艺,接触过类似的工艺,应该是区分管子栅氧厚度的吧,1.2v,1.8v,2.5栅氧厚度不同的,应该就是通过上面的层次区分的,当然也能起到识别器件的作用,design rule应该也会有层次的定义的可以看看。
发表于 2020-9-11 13:19:42 | 显示全部楼层
这个不仅仅是识别,GOX不一样,后续产生LDD也不一样,都是通过这个识别产生的
 楼主| 发表于 2020-9-11 16:17:09 | 显示全部楼层


843071455 发表于 2020-9-11 13:08
没有过smic的工艺,接触过类似的工艺,应该是区分管子栅氧厚度的吧,1.2v,1.8v,2.5栅氧厚度不同的,应该就 ...


谢谢了解了
 楼主| 发表于 2020-9-11 16:59:46 | 显示全部楼层


andyfan 发表于 2020-9-11 13:19
这个不仅仅是识别,GOX不一样,后续产生LDD也不一样,都是通过这个识别产生的 ...


谢谢,我好像知道了。DG是Dual Gate,定义1.8V的晶体管;TG应该类似。
发表于 2020-9-12 10:37:00 | 显示全部楼层
顶顶顶顶顶顶顶顶顶顶顶顶
发表于 2020-9-21 16:34:04 | 显示全部楼层


远方伊舟 发表于 2020-9-11 16:59
谢谢,我好像知道了。DG是Dual Gate,定义1.8V的晶体管;TG应该类似。


那TG 就是Triple Gate了
发表于 2020-9-23 13:21:15 | 显示全部楼层
TG好像是3.3V器件,类似识别层
发表于 2020-11-6 16:45:00 | 显示全部楼层


AIIR 发表于 2020-9-23 13:21
TG好像是3.3V器件,类似识别层


顶你一下
发表于 2021-4-1 13:41:27 | 显示全部楼层
感谢解答
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