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843071455 发表于 2020-9-11 13:08 没有过smic的工艺,接触过类似的工艺,应该是区分管子栅氧厚度的吧,1.2v,1.8v,2.5栅氧厚度不同的,应该就 ...
andyfan 发表于 2020-9-11 13:19 这个不仅仅是识别,GOX不一样,后续产生LDD也不一样,都是通过这个识别产生的 ...
远方伊舟 发表于 2020-9-11 16:59 谢谢,我好像知道了。DG是Dual Gate,定义1.8V的晶体管;TG应该类似。
AIIR 发表于 2020-9-23 13:21 TG好像是3.3V器件,类似识别层
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