LDO流片后，对芯片测试得到默认电压离散较大

TiamoSYF · 发表于 2020-9-10 17:04:16

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本帖最后由 TiamoSYF 于 2020-9-10 18:29 编辑

【求助】LDO的主体结构为轨到轨的运放，设计的默认电压值为1.5V。流片后，对芯片进行测试，发现不同芯片上的LDO默认电压为1.27V~1.6V，整体离散程度较大。请问，产生这个问题的原因可能会有哪些？初步分析，因为该芯片中的BG模块，未作调制位，主体结构为cascode，是否会因为BG提供的基准不同，导致LDO的此项问题？谢谢！
补充说明：有对LDO和BG做两版test_chip，测试结果，LDO默认值偏大100mv左右，即1.6V，BG模块的基准电压，也是偏大100mV左右。

amswu · 发表于 2020-9-10 20:28:57

montecarlo跑一下就知道了

victor0o0 · 发表于 2020-9-11 21:58:01

BG输出和LDO输出都测一遍，画出散点图，可以看LDO输出电压与BG电压的相关性

[求助] LDO流片后，对芯片测试得到默认电压离散较大

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