一种基于 "2Id/gm" 的模拟集成电路设计方法学

weiyichenWYC · 发表于 2022-3-24 09:13:40

谢谢

piao · 发表于 2022-3-24 22:14:38

hot topic

maosheng007 · 发表于 2022-3-30 15:08:17

这个设计方法最好的就是比较直观，查表法代替手算，在0.18um以上的制程很实用

Blueet · 发表于 2022-4-1 13:01:20

谢谢

orientview · 发表于 2022-4-2 10:57:32

目前有更新更好的优化了吗？

safetycar · 发表于 2022-4-2 11:35:06

谢谢分享

Halsone · 发表于 2022-4-2 14:56:27

很好很好支持下

zhiyuxzh123 · 发表于 2022-4-4 21:38:52

感谢分享

chijunyinxi · 发表于 2022-4-5 16:51:52

感谢楼主分享，学习了一波。就是到了最后一步有点迷惑，请教一下。
楼主分享的那两个文件里面，实验的文件，在扫描出各种参数与V*的关系后，接下来要做Intrinsic Gain Table，此时文件里面，要求 "Find VGS when V*= 150mV, 200mV, 250mV, VGS = 642mV When V* = 200mV in this case",然后在下一步扫描VDS时候，设置的VGS就是刚刚查出的642mV，然后扫描Vds和L，得到不同L下，vds变化时候的本征增益。我的疑惑是，在V* = 200mV时，所对应的VGS在不同的L下是不一样的，实验中的642mV，可能是在30nm那条曲线读出来的，那么这种VGS下，刚刚得到的Intrinsic Gain Table曲线里面，是不是只有30nm这条线才是准确的呢。我试了一下，换另一种长度，在 V*= 200mV时读出的VGS是不一样的，以此时的VGS来做新的Intrinsic Gain Table曲线和刚刚的642mV是不一样的，是不是要在V*= 200mV时读出每条长度对应的VGS，然后分别以对应的值做一次Intrinsic Gain Table曲线呢，加上还有V*= 150mV和250mV的情况，岂不是要做出来非常多的Intrinsic Gain Table曲线？

Jonathan_304 · 发表于 2022-4-8 15:42:49

谢谢分享！！

[原创] 一种基于 "2Id/gm" 的模拟集成电路设计方法学

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