在线咨询 切换到宽版
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网

 找回密码
 注册

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

搜帖子
楼主: JoyShockley

[原创] 一种基于 "2Id/gm" 的模拟集成电路设计方法学

[复制链接]
发表于 2022-3-24 09:13:40 | 显示全部楼层
谢谢
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2022-3-24 22:14:38 | 显示全部楼层
hot topic
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2022-3-30 15:08:17 | 显示全部楼层
这个设计方法最好的就是比较直观,查表法代替手算,在0.18um以上的制程很实用
回复 支持 2 反对 0

使用道具 举报

发表于 2022-4-1 13:01:20 | 显示全部楼层
谢谢
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2022-4-2 10:57:32 | 显示全部楼层
目前有更新更好的优化了吗?
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2022-4-2 11:35:06 | 显示全部楼层
谢谢分享
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2022-4-2 14:56:27 | 显示全部楼层
很好很好支持下
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2022-4-4 21:38:52 | 显示全部楼层
感谢分享
回复 支持 反对

使用道具 举报

发表于 2022-4-5 16:51:52 | 显示全部楼层
感谢楼主分享,学习了一波。就是到了最后一步有点迷惑,请教一下。
楼主分享的那两个文件里面,实验的文件,在扫描出各种参数与V*的关系后,接下来要做Intrinsic Gain Table,此时文件里面,要求 "Find VGS when V*= 150mV, 200mV, 250mV, VGS = 642mV When V* = 200mV in this case",然后在下一步扫描VDS时候,设置的VGS就是刚刚查出的642mV,然后扫描Vds和L,得到不同L下,vds变化时候的本征增益。我的疑惑是,在V* = 200mV时,所对应的VGS在不同的L下是不一样的,实验中的642mV,可能是在30nm那条曲线读出来的,那么这种VGS下,刚刚得到的Intrinsic Gain Table曲线里面,是不是只有30nm这条线才是准确的呢。我试了一下,换另一种长度,在 V*= 200mV时读出的VGS是不一样的,以此时的VGS来做新的Intrinsic Gain Table曲线和刚刚的642mV是不一样的,是不是要在V*= 200mV时读出每条长度对应的VGS,然后分别以对应的值做一次Intrinsic Gain Table曲线呢,加上还有V*= 150mV和250mV的情况,岂不是要做出来非常多的Intrinsic Gain Table曲线?
回复 支持 1 反对 0

使用道具 举报

发表于 2022-4-8 15:42:49 | 显示全部楼层
谢谢分享!!
回复 支持 反对

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /1 下一条

手机版| 小黑屋| 关于我们| 联系我们| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2025-8-23 19:55 , Processed in 0.017167 second(s), 3 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表