宽输入的LDO

maxinyi · 发表于 2020-7-30 19:10:23

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其中标出来的是高压管，但是为什么MA7,MA8,M01是低压管，这样难道不会被击穿吗

leonken460 · 发表于 2020-7-30 20:16:53

哪篇paper? 能发出来看看。。。

fengluan83 · 发表于 2020-7-30 21:06:16

vgs,vds都是低压

albert_eetop · 发表于 2020-7-30 21:26:06

楼上正解。但也注意器件的Body(阱)与芯片衬底的耐压要满足要求，也就是要耐一个高压。

xuwenwei · 发表于 2020-7-31 08:41:04

那为什么要用低压管呢，低压管的好处在哪里？

苏AE86 · 发表于 2020-7-31 09:19:13

学习一下

kidd_han · 发表于 2020-7-31 10:17:14

这些MOS的drain source，gate source正常操作下都没有过压，实际电路应该再加上clamp电路保护下，防止瞬态响应是有可能的过压，另外这些MOS要放在高压隔离井里。

acging · 发表于 2020-7-31 10:20:16

xuwenwei 发表于 2020-7-31 08:41
那为什么要用低压管呢，低压管的好处在哪里？

面积小，速度快

maxinyi · 发表于 2020-7-31 11:55:25

kidd_han 发表于 2020-7-31 10:17
这些MOS的drain source，gate source正常操作下都没有过压，实际电路应该再加上clamp电路保护下，防止瞬态 ...

就是说只要VGS VDS没有超过5V就可以吗，就算源端接了40V的电位

xuwenwei · 发表于 2020-7-31 13:07:30

acging 发表于 2020-7-31 10:20
面积小，速度快

OK . 谢谢大神回复

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