FINFET 工艺里面CutOD是干嘛用的

wsmj

请大牛门帮科普一下？

omityoung

cut 呀， od被这一层cut断开

andyfan

形成FIN的时候，是GLOBAL的，就是整片的形成，但是只有形成器件的也就是画OD的地方才是需要的FIN。

其他的地方，是要被拿掉的，所以就有了corase cut和fine cut，T的里面叫COD_H/COD_V其实是有点迷惑性的。

简单的说, CUT OD就是把不需要的FIN给去除的图形。

wenfangsibao

COD 就是不需要做有源区的地方必须添加？

wenfangsibao

andyfan 发表于 2020-7-29 21:55
形成FIN的时候，是GLOBAL的，就是整片的形成，但是只有形成器件的也就是画OD的地方才是需要的FIN。

其他的 ...

所谓形成器件的地方是指哪里，不形成器件的地方是指哪里？GDCAP、GFILL肯定是形成器件的地方，那DCAP,FILL，HALO（就是什么都没有，连Fill cell都没有的地方）就是不需要做器件的地方，就是需要加CutOD的地方吗？

andyfan

wenfangsibao 发表于 2021-2-5 16:37
所谓形成器件的地方是指哪里，不形成器件的地方是指哪里？GDCAP、GFILL肯定是形成器件的地方，那DCAP,FIL ...

你可以理解为没画OD的地方，都是要CUT掉的。

因为在形成FIN的过程种，是整片都形成的。

wenfangsibao

请教大牛，有什么资料介绍一个标准单元的各层layer吗？并加以注释的。

wenfangsibao

andyfan 发表于 2021-2-5 22:03
你可以理解为没画OD的地方，都是要CUT掉的。

因为在形成FIN的过程种，是整片都形成的。

DCAP cell 和 FILLER CELL 内部也是MOS 管吗？从哪里可以获取相关资料了解一个标准单元的内部信息？请大牛不吝赐教。

andyfan

wenfangsibao 发表于 2021-2-8 14:45
DCAP cell 和 FILLER CELL 内部也是MOS 管吗？从哪里可以获取相关资料了解一个标准单元的内部信息？请大 ...

DECAP CELL基本有管子，FILLER看画法和大小，不一定。

你如果设计用到了这些CELL，直接去打开看GDS就好了啊，不然从哪里了解。每家VENDOR的实现都有点差异的，你用那家的库，就直接看GDS就好了啊。

glchun

没那么复杂，第一个是SADP工艺里面形成的Fin都是一个围绕line的环状fin，所以必须要两头切掉(Cut)。第二个是Fin因为U%很重要，所以layout几乎都是均匀排布的，但是实际上很多用不上，所以再把它cut掉。第三个SADP一般default都是做成很长的，可以通过Fin Cut把它切成好几段你想要的transistor。