NMOS反型层的电子问题？

woodhorse007 · 发表于 2020-7-25 09:58:28

染纱发表于 2020-7-15 11:26
不同意，电子绝不可能来自栅极，它怎么过来？穿过氧化层？那不产生栅极电流了吗？
...

电子不会穿过氧化层的。

当Vgs>0进电子穿过源与栅的电源移动到地（衬底）。根据电源的类型，电子移动的电流可以是直接电流或位移电流。
然后在衬底接地位置的电子（或感生电子）在电场作用下向沿衬底向电势高的地方移动，最后到达栅相对的衬底。
由于介质阻挡，大量滞留电子形成反型。
同时滞留电子降低了反型的电势。当反型的电势降为0时，电子达到平衡。

klian9 · 发表于 2020-7-27 15:39:39

这是一个电流环路的，电子可以从电源负极得到源源不断的提供，同时正极回收也

wenfangsibao · 发表于 2021-5-9 18:24:07

JoyShockley 发表于 2020-7-14 01:33
哪里量多，哪里更容易提供，则有哪里提供；这样克服的垫垒最小。

有源级的时候，源级电子很多（多子）， ...

什么叫“有源极的时候”？源极不是一直存在吗？

wenfangsibao · 发表于 2021-5-9 18:26:46

本帖最后由 wenfangsibao 于 2021-5-9 18:30 编辑

染纱发表于 2020-7-11 10:42
理解！再请问一下，第二个MOS电容接法的形成反型层时的电子还是从psub中过来的吗？还是Source也提供了电 ...

这个问题不错：当强反型层已经形成之后，再稍微增加栅极电压，那强反型层里的多出来的电子则来源于哪里？

agumonx · 发表于 2022-1-13 11:27:07

RFstudent 发表于 2020-7-15 14:00
参考半导体物理方面的知识，简单写了一些看法，见附件。

只有你这层的回复才是对的。。纯MOS结构(其实就是MIS)强反型后耗尽层宽度不再增加，多余的电子通过产生-复合过程产生，只不过相比多了源漏的MOS管，这个过程很慢，高频时产生-复合跟不上电压变化速度。不过我有个小问题。。就是纯MIS结构中，强反型后，多余的空穴去哪了？耗尽层宽度达到最大后，表面电子电荷减去耗尽层内正电荷后还有富余吧

RFstudent · 发表于 2022-1-13 21:38:47

agumonx 发表于 2022-1-13 11:27
只有你这层的回复才是对的。。纯MOS结构(其实就是MIS)强反型后耗尽层宽度不再增加，多余的电子通过产生- ...

耗尽层不是正电荷，p型半导体耗尽是电离受主，带负电。空穴是到半导体体内去了。

agumonx · 发表于 2022-1-22 08:37:27

RFstudent 发表于 2022-1-13 21:38
耗尽层不是正电荷，p型半导体耗尽是电离受主，带负电。空穴是到半导体体内去了。

...

我明白你的意思，我的疑问不在这里。。我比较迷惑的点已经深入到能带论了，后来我也不怎么深挖了

icdane · 发表于 2022-1-23 03:11:42

好问题。针对1：这个时候不存在反型，因为没有外来的电子支撑（排除极高压的情况） 2）从S/D来 3）所有的电路正常工作有电源啊...

天空晴朗123 · 发表于 4 天前

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