在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 2769|回复: 3

[求助] RTL设计中memory问题

[复制链接]
发表于 2020-7-7 23:17:02 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
本人在进行RTL设计时遇到了一个问题:一个硬件架构每一拍算出5Kbit的数据,需要存储。用Memory Compiler去生成SRAM时,发现Memory Compiler中选择的比特位宽越宽,最终的面积总和越小。比如生成1024个5bit位宽的SRAM的面积肯定比40个128bit位宽的SRAM面积大的多(原因我猜应该是SRAM里面有控制电路,40*128bit的控制电路比1024*5bit的控制电路少,恳请各位高手指正)。但是目前Memory Compiler所支持的比特位宽最高也就128比特,例化多个这样的SRAM导致DC综合后SRAM的占比非常高。我目前想尽可能的减小Memory的面积,所以请问一下各位,对于这种极大位宽的存储有没有什么更好的方法?

发表于 2020-7-8 08:42:47 | 显示全部楼层
应该是译码电路大小的区别吧
发表于 2020-7-8 09:07:00 | 显示全部楼层
生成一个128x40bit SRAM不就搞定了么?  面积和功耗都会小一些
发表于 2024-10-24 21:40:28 | 显示全部楼层


student2010 发表于 2020-7-8 09:07
生成一个128x40bit SRAM不就搞定了么?  面积和功耗都会小一些


128的深度?这个一拍5K数据能写完吗?
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-22 13:31 , Processed in 0.017552 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表