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查看: 7940|回复: 16

[求助] 请问模拟ic中如何实现10us的延时？求各位大佬指点

发表于 2020-6-17 20:52:58 | 显示全部楼层 |阅读模式

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我想要做1KHz的不交叠时钟，该时钟需有10us的死区时间，按照典型的不交叠时钟电路来做的话需要10us的延迟。在模拟ic中有办法做到这么大的延迟吗？如果用反相器堆叠来实现这么大的延迟是不实际的。或者说对于低频时钟做不交叠有更好的方法？拜托各位大佬指点下！不甚感激！

下图是典型的不交叠电路

TIM截图20200617180012.png

TIM截图20200617180012.png

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发表于 2020-6-17 21:19:30 | 显示全部楼层

简单rc就可以吧

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发表于 2020-6-18 10:58:40 | 显示全部楼层

你这个10ns可以

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发表于 2020-6-18 11:05:12 | 显示全部楼层

一般百ns以上的延迟就不用反相器串实现了，10us的延迟用rc合适，但是受工艺影响极大。
可以考虑找到死区产生的原因，用死区位置做一个标志位电路来控制时钟边沿翻转。

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楼主| 发表于 2020-6-18 11:48:15 | 显示全部楼层

castrader 发表于 2020-6-18 11:05
一般百ns以上的延迟就不用反相器串实现了，10us的延迟用rc合适，但是受工艺影响极大。
可以考虑找到死区产 ...

首先感谢您的回复！不好意思我前面说错了是非交叠时间要us级的，死区时间和非交叠时间这个概念我还没弄清楚。这个非交叠时钟是用于控制斩波放大器的开关的，非交叠时间到us级，是由于时钟频率低，时钟频率为2Khz。RC延迟的话，我还不清楚怎么做，RC会导致时钟信号边沿变慢，然后再用D触发器整形吗？

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发表于 2020-6-18 13:51:10 | 显示全部楼层

把R串进反相器中，用MOS-C作反相器的负载，输出再接一级反相器整形即可。

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发表于 2020-6-18 15:18:46 | 显示全部楼层

串联R，减小电流
对地加C，增大充电电容

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楼主| 发表于 2020-6-18 16:57:35 | 显示全部楼层

谢谢各位大佬的帮助！
我用电流源限流了反相器，再在反相器的输出加对地电容，仿真可以达到us级的延迟。
TIM截图20200618165642.png

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发表于 2021-4-25 11:01:42 | 显示全部楼层

牛啊牛啊比RC简单很多

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发表于 2021-4-25 11:02:59 | 显示全部楼层

尝试了一下，感觉这个受工艺角影响会比RC更大

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