看工艺才准吧 . 低压如 5vdiode 了不起耐压 8~12v .
至于 HR_poly 看电流, 有些 UHV工艺的hr串很多 好几 Meg, HR 电阻可用在 500v . 但前提 FAB厂提供, 像一般UHV光 Metal1metal2 可不能 overlap , 因为metal 间根本耐不了 以前看过UHV500v 那类, metal 间 mom电容也差不多说 200v , 如有UHV 要求请找有 UHV工艺 , 你要耐 200v 找 >200v 工艺 . 有些 C/DMOS 有 500600 700 800v , 如果 LIGBT 看过 100~250v. LDMOS 一般 24~80~120v . 只是你怎会CSMC 0.18um/5V工艺 拿做挡高压思维 ? ESD 是很短时间. 特别保护. 跟你常规给高压不同, 网络看看 APD 好像都需耐高压吧 . 你查下能用 APD 的芯片. 如果说有人用低压工艺去挡高压 很多要特别处理, 以前用过 5v mos “拉开 space” 测到 20v . 但是, 这要自己做 testkey 去量 , 可靠度那些 htol 都要自己来, 还须跑 corer split lot 更不会model . 哪些自己开发的 Fab可是不管你 . 除非妳们有配合 Fab 愿帮你调参数. 让你用 低压工艺 某些device 能上高压.
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