马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。
您需要 登录 才可以下载或查看，没有账号？注册
x
本帖最后由 jangtoy 于 2020-6-10 17:23 编辑
有在学校的兄弟姐妹，帮忙下载些论文： 1. CMOS EEPROM cell with tunneling window in read path。作者：Lin Jonathan，Peng Jack Z. 1996年的。
2. Single-poly-EEPROM Cell in Standard CMOS Process for Medium-Density Application，作者：Milani Luca等，2015年
3.Half-Mos Single-Poly EEPROM Cell in Standard CMOS Process。作者：Torricelli F等，2013年。
4.EEPROM cell Using P-well for tunneling across a channel.作者:Sunil D Mehta等。1999.
十分感谢。
第2和第3篇文章很不错，帮助很大。
下面是两份文章的一些参考，麻烦帮忙下载一下，十分谢谢。
1. A single-poly EEPROM cellstructure compatible to standard CMOS process。 作者：CF-Lin ；CY Sun。 2007年
2. A single-poly EEPROM cellstructure for use in standard CMOS process。 作者：K.Ohsaki ,N.Asamoto。 1994年
3. High-performance singlepolysilicon EEPROM with stacked MIM capacitor。 作者：K-Y.Na ,Y-S.Kim。 2006年。
4. A high-densiy MTP cell withcontact coupling gates by pure CMPS logic process。 H-Y Wu，C-W Tsai。 2011年。
5. A novel single polysilicon EEPROMcell with a polyfinger capacitor。作者：K-Y Na, Y-S kim。2007年。
6. Band-to-band tunneling andthermal generation gate-induced drain leakage. 作者： S.H.Voldman 1988年。
7. Flash memory cell---An overview。 作者：P.Pavan，R.Bez。1997年。
8. Analysisof the subthreshold slope and the linear tranconductance techniques for theextraction of the capacitance coupling coefficients of floating-gate devices。 作者:M.Wong D.K.Y.Liu 。1992年
9. A comparative study of single-poly embedded flash memory disturbance ,program/erase speed ,endurane and retention characteristic.作者：S-H Song ，J.Kim。 2014年
| 
/2 
eetop公众号
创芯大讲堂
创芯人才网
发表于 2020-6-8 08:55:04
楼主