高压工艺集成IC设计求助

dongzz201 · 发表于 2020-6-6 18:20:13

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哪位熟悉高压IC设计朋友请指导一下，为何200V以上的工艺里面，没有耐压超过200v的PMOS器件，只有高压NMOS器件。可以用何种器件替代PMOS？

lynker · 发表于 2020-6-13 12:35:31

关注，帮顶！

Enmanyoucan · 发表于 2020-6-13 14:04:53

我也在做耐高压集成IC的设计，但是没你耐压要求高，我曾做过一些耐高压电路的版图，但大多数都在50V以内，我看楼主还是和甲方讨论讨论，在外部经行分压设计，降低芯片耐压要求，以BCD工艺来说，实现上还是相对比较方便的，大多数厂商也是支持的

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