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[求助] 求助传输线下面铺M1地层为啥感值和Q值会大幅降低

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发表于 2020-5-31 19:05:20 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 RSTWLSSSGF 于 2020-5-31 19:09 编辑

顶层金属左右打两个port,下面铺上底层金属M1,M1上打两个PORT

顶层金属左右打两个port,下面铺上底层金属M1,M1上打两个PORT

in和out是顶层传输线的port,A和B是M1上的两个port

in和out是顶层传输线的port,A和B是M1上的两个port

将A和B(M1上的两个port)都接地以后,L和Q都大幅降低

将A和B(M1上的两个port)都接地以后,L和Q都大幅降低

如图1所示,顶层金属左右打两个port,下面铺上底层金属M1,M1上打两个PORT如图2所示搭建原理图,in和out是顶层传输线的port,A和B是M1上的两个port。将A与B开路与接地分别仿真。
如图3所示,M1的两个PORT A和B 接地后,传输线感值和Q值大幅降低了,请教下这是为啥哪?
 楼主| 发表于 2020-5-31 19:10:50 | 显示全部楼层
咳咳,照理说这两层金属离得比较远,Q值下降一点点是可以理解的,为啥下降的这么多哪
发表于 2020-6-1 08:39:14 | 显示全部楼层
感覺loss很大
 楼主| 发表于 2020-6-2 18:40:56 | 显示全部楼层
是的啊,65nm的工艺,但是为啥铺地比不铺地LOSS还大那
发表于 2020-6-17 14:28:48 | 显示全部楼层
你以为M1和顶层金属离得很远,其实也就几um
发表于 2023-4-11 20:06:20 | 显示全部楼层


RSTWLSSSGF 发表于 2020-6-2 18:40
是的啊,65nm的工艺,但是为啥铺地比不铺地LOSS还大那


因为铺了地之后损耗是在金属上,不铺地损耗是在半导体上
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