请教一种第一次见的ESD结构

mekenny · 发表于 2020-5-29 22:28:43

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本帖最后由 mekenny 于 2020-5-29 22:29 编辑

请问各位大哥，有见过下图所示的ESD结构吗？跟泄放NMOS管串联的阱电阻是做什么用的啊？串联了电阻不是导致泄放阻抗变大吗？

lynker · 发表于 2020-5-30 09:56:19

Ballasting resistance？

jake_don · 发表于 2020-5-30 15:51:38

是为了保证所有叉指管子均匀开启

mekenny · 发表于 2020-5-31 22:39:34

jake_don 发表于 2020-5-30 15:51
是为了保证所有叉指管子均匀开启

均匀开启应该是电阻接在GGNMOS的GATE与地之间吧？

bing_bing · 发表于 2020-6-3 23:30:33

mekenny 发表于 2020-5-31 22:39
均匀开启应该是电阻接在GGNMOS的GATE与地之间吧？

可以联想drain端加的SAB层，增加了电阻，保持各finger电流的一致性

mekenny · 发表于 2020-6-5 09:56:42

bing_bing 发表于 2020-6-3 23:30
可以联想drain端加的SAB层，增加了电阻，保持各finger电流的一致性

SAB是均匀开启的有效做法，这个解析是对的。

mekenny · 发表于 2020-6-5 09:59:37

感觉应该是保证ESD泄放管finger均匀导通的，跟漏端加SAB是一样的效果。

mars0904 · 发表于 2020-6-29 17:02:25

要是每根finger都有个电阻的话，应该可以往均匀性方面考虑。

xlteam2 · 发表于 2020-7-22 11:55:09

VERY GOOD

fengluan83 · 发表于 2020-8-8 17:06:23

如果nmos管为主放电通路，那接nwell电阻太大了吧，可以使用nplus电阻。

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