请教不同电压域的ESD防护

wmd201409 · 发表于 2020-5-26 09:27:36

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如果在同一个CHIP里有多个不同的电压域，如1.8V 3V VDD_PLL VDD_DDR等电压域，需要做这些电压域之间的ESD吗，如果需要做ESD，请问用哪种结构来做？（所有电压域长期供电，不会掉电）

bing_bing · 发表于 2020-6-13 22:29:26

我只知道bcd工艺里面不同电压域之间要加带NBL的guard ring

jian1712 · 发表于 2020-6-19 22:22:10

1.首选RC+Inverter triggered NMOS， trigger电压可控2.有TLP测试结果的GCNMOS可以考虑，且Vt1低于NMOS的Breakdown电压
3.GGNMOS慎用

mars0904 · 发表于 2020-6-29 17:03:47

不同电压域之间的ESD通常都是通过gnd之间的B2B diode去实现。

MicroEpzc · 发表于 2021-8-18 10:10:16

jian1712 发表于 2020-6-19 22:22
1.首选RC+Inverter triggered NMOS， trigger电压可控2.有TLP测试结果的GCNMOS可以考虑，且Vt1低于NMOS的B ...

您好，请问为何需要慎用GGNMOS呢？

521lkh · 发表于 2021-8-18 13:46:47

GGNMOS 会存在多指开启不均匀问题

catherine_xxp · 发表于 2021-9-2 09:39:55

首先，每个电压域的Power和对应的GND之间做ESD保护；其次，这些GND之间要用双向Diode做保护；最后，这些Power之间也要做相应的保护。

Anihacyo · 发表于 2023-8-17 15:06:31

catherine_xxp 发表于 2021-9-2 09:39
首先，每个电压域的Power和对应的GND之间做ESD保护；其次，这些GND之间要用双向Diode做保护；最后，这些Pow ...

跨域之间双向diode保护原理能帮忙解释下吗

catherine_xxp · 发表于 2023-10-8 09:23:40

Anihacyo 发表于 2023-8-17 15:06
跨域之间双向diode保护原理能帮忙解释下吗

高压域与低压域的GND之间做Diode保护。

huana · 发表于 2023-10-8 13:35:09

我看早期文献对VDD之间也会做串联的二极管防护，后来没了，是有什么风险吗

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