模拟开关

ZZW_semic · 发表于 2020-5-20 16:19:02

Super.peng 发表于 2020-5-20 16:15
对的，逆向出来的。

还是重新提次图吧，这电路有问题

hitzhabc · 发表于 2020-5-20 16:21:00

Super.peng 发表于 2020-5-20 16:07
什么隔离工艺，我怎么都没听过？我用的cmos双阱工艺。这电路只是四分之一，还有其它都是对称的。还有这个 ...

第二个INV的输出连接了三个NMOS的source和bulk。当INV输出为高的时候，bulk是高电平。所以bulk必须被隔离，不然就错了。这个大致上应该是电荷泵的PN结，但是初步看有很多不符合常理的。所以我觉得有错误。如果是好多年前的东西，怀疑下是不是N衬底的？

Super.peng · 发表于 2020-5-20 16:29:28

hitzhabc 发表于 2020-5-20 16:21
第二个INV的输出连接了三个NMOS的source和bulk。当INV输出为高的时候，bulk是高电平。所以bulk必须被隔离 ...

好的呢，谢谢谢谢。我先去确认一下。

Super.peng · 发表于 2020-5-20 16:30:19

ZZW_semic 发表于 2020-5-20 16:19
还是重新提次图吧，这电路有问题

好的，谢谢了。我先去确认一下。

Super.peng · 发表于 2020-5-20 17:28:23

hitzhabc 发表于 2020-5-20 16:21
第二个INV的输出连接了三个NMOS的source和bulk。当INV输出为高的时候，bulk是高电平。所以bulk必须被隔离 ...

是这样的：使用的是双阱工艺，然后这个nmos是做在深n阱里面的pw里。刚对应了下版图确实是这样连接的。

另外您说这可能是那个pn结。我以为：那个pn结不应该是mos管的栅和漏相连接而形成的吗？

wjx197733 · 发表于 2020-5-21 10:50:30

本帖最后由 wjx197733 于 2020-5-21 10:51 编辑

电路图稍微整理了一下，感觉像是一个电荷泵。
1.图中M2和M3组成锁存器
2.M5和M1以及C1和C2可以认为是一个电荷泵
3.电路图不全，有点网线不知道来源，无法分析整体电路

微信图片_20200521104242.jpg

Super.peng · 发表于 2020-5-21 14:28:20

对的，这就是个电荷泵。
大佬有心了，太太太感谢了，大恩不言谢

Super.peng · 发表于 2020-5-25 21:55:09

wjx197733 发表于 2020-5-21 10:50
电路图稍微整理了一下，感觉像是一个电荷泵。
1.图中M2和M3组成锁存器
2.M5和M1以及C1和C2可以认为是一个电 ...

点错了

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