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楼主: whysst

[求助] 芯片回来大电流……tsmc40n

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发表于 2020-5-7 18:43:57 | 显示全部楼层
40nm logic 允许 gate 有两个方向,28不行 。
怀疑TSMC的工艺? 脑子坏了吧!
 楼主| 发表于 2020-5-7 20:22:33 | 显示全部楼层


jamesccp 发表于 2020-5-7 18:43
40nm logic 允许 gate 有两个方向,28不行 。
怀疑TSMC的工艺? 脑子坏了吧!


40n好像真不能两个方向,如图
1.png
发表于 2020-5-7 20:37:33 | 显示全部楼层
看规则是所有SRAM的plogy方向要一致,和std cell没关系
发表于 2020-5-9 21:06:39 | 显示全部楼层


whysst 发表于 2020-5-7 20:22
40n好像真不能两个方向,如图


EHVT的管子才有这个要求,其他管子没这个要求。但理论上,DRC可以检查出来这个错误的。另外SRAM的POLY也要保持一个方向。
普通管子的LDD是四个方向打的,SRAM和EHVT为了降低variation,只打两个方向,就需要整个CHIP里面POLY方向一致。不然就出大问题了。

TSMC的工艺基本不用怀疑,尤其40这么老的工艺了。出问题,99.9999%是你们自己问题。要是5/7这种先进工艺,T才有可能自己出问题了。

发表于 2020-5-9 21:08:22 | 显示全部楼层


quanqiutong 发表于 2020-5-7 20:37
看规则是所有SRAM的plogy方向要一致,和std cell没关系


后续的40ULP新增的EHVT,也要求一个方向。其他管子可以两个方向。28HKMG,CORE的必须都一个方向
 楼主| 发表于 2020-5-10 16:01:16 | 显示全部楼层


andyfan 发表于 2020-5-9 21:08
后续的40ULP新增的EHVT,也要求一个方向。其他管子可以两个方向。28HKMG,CORE的必须都一个方向
...



谢谢解答,我们用的就是ehvt
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