带隙基准求助

凹凸曼011 · 发表于 2020-3-12 22:38:26

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主流的带隙基准大概有2种，带运放的和不带运放的，都是依靠电路结构使三极管的发射极电位近似相等。
请问大家有没有见过直接把两个三极管发射极短接在一起的带隙基准呢？

凹凸曼011 · 发表于 2020-3-12 22:44:27

顶一下

ricvadim · 发表于 2020-3-13 03:25:14

话题很好非常感谢

a1054958688 · 发表于 2020-3-13 07:38:54

可以贴一下图？

龙9527 · 发表于 2020-3-13 08:40:22

发射极短接怎么得到deltaVBE呢？

xuwenwei · 发表于 2020-3-13 09:11:06

不会是相等吧，应该差了一个电阻的压差吧

king0798 · 发表于 2020-3-13 10:42:21

两个三极管发射极短接在一起，那该如何控制电流呢？

CMOS永日 · 发表于 2020-3-13 16:51:06

可以参考一下这篇Paper，原理是利用一个三极管和一个PTAT电压产生器叠加产生一个恒定电压，PTAT电压产生器就是常见的五管放大器，不过另一端是二极管连接。这种结构的优点是没有运放，可以做到超低功耗，适用于低电压，缺点的话做出来的ref不如bandgap。有兴趣的朋友可以仿真一下，下图是我仿真的电压随温度的变化曲线

凹凸曼011 · 发表于 2020-4-1 19:20:11

感谢分享！！

freehero · 发表于 2020-4-4 13:01:48

见过，但是这个是受工艺限制的。SO*Y的某个产品里，BG电路就是发射极接一起。一般的工艺BJT好像还是做衬底上。

[求助] 带隙基准求助

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