IGBT类型介绍

若明

这份资料是关于PT-IGBT, NPT-IGBT, FS-IGBT, 沟槽栅极结构(Trench)IGBT结构的介绍及影响并联IGBT不均流的因素的简单介绍。希望能够帮到刚刚开始了解IGBT的同学。

linxi1123

上海  南京  深圳招聘器件工程师     联系微信：361261541

工程师: 应届硕士和有一定工作经验的本科均可 薪资具体而定

职位：高级IGBT 工程师或经理、 功率MOSFET设计工程师/lead 、TVS器件设计工程师/lead

研发工程师—功率MOSFET设计工程师/lead
岗位职责：
1、参与项目的可行性分析，负责产品开发的方案的制定与修改，技术风险评估，流程（含技术文文件）管理，重要产品的客户技术沟通等；
2、负责公司相关芯片的布局与设计开发工作；
3、新产品量产导入以及提升新产品良率；
4、相关专利文件撰写及申请。
任职资格：
1、硕士及以上学历，微电子/电子工程/电子科学等相关专业，英语良好；
2、熟悉半导体物理，半导体制程及电子电路相关知识；
3、具备实际操作半导体组件模似软件及布局软件经验；
4、1年以上功率MOSFET设计经验，具有屏蔽栅/分立栅(SGT) MOSFET或是超结(Super Junction) MOSFET设计经验者尤佳；

高级IGBT 工程师 或 经理
岗位职责:
1. 根据公司的新产品开发计划，独立负责IGBT芯片的设计开发；
2. 负责制定实施IGBT产品的开发计划，保证计划的顺利完成；
3. 负责相关IGBT产品的设计文件，工艺文件和封装测试文件的拟定；
4. IGBT芯片的器件仿真版图设计，流程制定以及测试规范的制定；
5. 和晶圆厂，封装厂进行沟通和协调工作；
6. 完成上级交付的其他任务
任职资格:
1. 掌握IGBT的器件原理和设计方法；
2. 掌握半导体器件的制造过程和方法；
3. 掌握主流的TCAD工具如Sentaurus， Cadence的应用方法；
4. 掌握DOE，SPC，FMEA和FA相关知识和应用；
5. 掌握IGBT电气参数的测试方法；
6. 微电子或相关专业本科或硕士以上毕业，1年以上功率器件产品设计开发经验


TVS器件设计工程师/lead
职位描述:
主要从事各种电流以及电压规格的TVS分立器件的开发、应用，并在现有产品工艺及结构的基础上持续进行产品性能与可靠性的改进，满足客户高性能和高质量的需要。
岗位职责：
1、根据市场需求，评估及定义新产品，优化现有产品性能及结构；
2、器件开发，工艺建立，器件仿真，版图设计，性能测试验证，可靠性测试评估。
职位要求：
1、微电子或功率半导体专业本科以上学历，3年以上相关工作经验；
2、熟悉功率半导体器件应用者优先；
3、熟悉半导体工艺集成。

dcircuit

thanks

自动化张

真不错篇

J_YL

感谢分享

bacai00789

小白，学习下

bacai00789

真不错

highlywood1983

很不错的资料。

us2393

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