3.3V 器件做1V 下设计好做吗?

peterlin2010 · 发表于 2019-12-25 06:45:07

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本帖最后由 peterlin2010 于 2020-1-2 21:22 编辑

3.3V 器件做1V 下设计好做吗? 只能使用 0.35um ,
主要须要 reference , 如果用MOS diode 做 reference 可以做 0.7~0.8v , 但是, 跑hspice temp= -40~150 温飘很大 , 跟一般bandgap 差很多 , 须工作 1v~3.3v 左右, 须要 BANDGAP , 但是一般 BANDGAP 1.2V 不能用 , 想到是改做 0.6V BANDGAP ?

victor0o0 · 发表于 2019-12-25 08:27:11

Banba结构的低压BGR本来就是用.35um做的

acging · 发表于 2019-12-25 09:05:16

1V还是有现成论文的。

A sub-1-V 15-ppm°C CMOS bandgap voltage reference without requiring low thresho.pdf (298.56 KB , 下载次数: 29 )

tulipyjx · 发表于 2019-12-25 09:22:16

acging 发表于 2019-12-25 09:05
1V还是有现成论文的。

赞赞

peterlin2010 · 发表于 2019-12-26 06:13:03

本帖最后由 peterlin2010 于 2020-1-2 21:22 编辑

acging 发表于 2019-12-25 09:05
1V还是有现成论文的。

目前 VTN=0.6 VTP=-0.8V ,

希望 1V 就可以稳定输出 0.6V , VDD=1~3.3V 间都稳定, TC 也要好 .

yuanyuan94587 · 发表于 2019-12-31 16:13:05

这个有谁用了做过产品？最低VDD可以到多少？什么工艺？

peterlin2010 · 发表于 2019-12-31 23:34:47

FIND THIS LINK

http://bbs.eetop.cn/thread-292362-1-1.html

虎大王 · 发表于 2020-1-2 19:00:19

你能看懂自己到底在说些什么吗？
重新组织下语言？？

teddy01290223 · 发表于 2020-1-8 22:06:38

thanks for sharing

ricvadim · 发表于 2020-3-13 05:09:26

话题很好非常感谢

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