3.3V 器件 做1V 下设计 好做吗?

peterlin2010

3.3V 器件做1V 下设计好做吗?  只能使用   0.35um ,
主要须要 reference   ,  如果用MOS diode 做 reference 可以做 0.7~0.8v ,  但是,  跑hspice   temp= -40~150  温飘很大 , 跟一般bandgap 差很多 ,  须工作 1v~3.3v 左右, 须要 BANDGAP ,  但是 一般 BANDGAP 1.2V 不能用 ,  想到是改做 0.6V BANDGAP  ?   

victor0o0

Banba结构的低压BGR本来就是用.35um做的

acging

1V还是有现成论文的。
A sub-1-V 15-ppm°C CMOS bandgap voltage reference without requiring low thresho.pdf (298.56 KB, 下载次数: 29 )

2019-12-25 09:05 上传

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tulipyjx

acging 发表于 2019-12-25 09:05
1V还是有现成论文的。

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peterlin2010

acging 发表于 2019-12-25 09:05
1V还是有现成论文的。

目前 VTN=0.6  VTP=-0.8V  ,  

希望 1V 就可以稳定输出 0.6V  ,    VDD=1~3.3V  间都稳定,  TC 也要好  .  

yuanyuan94587

这个有谁用了做过产品？最低VDD可以到多少？什么工艺？

peterlin2010

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http://bbs.eetop.cn/thread-292362-1-1.html

虎大王

你能看懂自己到底在说些什么吗？
重新组织下语言？？

teddy01290223

thanks for sharing

ricvadim

话题很好非常感谢