finger和m仿真差异大吗

居里先生

最近仿真了一个比较器，发现前后仿真差异很大，主要体现在迟滞上面，前仿真为3mV，后仿真达到15mV，并且提取的参数不包含RC的情况下做后仿真，迟滞也一样达到15mV。我认为后仿真流程没有出错，考虑到前仿真中device用的m，但是在画layout时都自动换成finger形式，因此又将电路中的m值改成finger形式，发现改完之后前仿真结果也跟原先用m的结果有较大差异，具体迟滞有大约7mV，这跟我以前认识不符。我认为的一：m与finger有差异，但是对性能仿真的影响极小；二前仿真和后仿真，并没有涉及到具体制造，因此与前仿真差异主要体现在寄生RC、有源区面积等方面，而不会有太大的mismatch方面的影响；群里的朋友有没有遇到过类似问题，或者能指点一二的也行。谢谢大家了！

                               
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老尤皮

finger和M是有差别
不知道别的工艺怎么样，我现在用的工艺，finger增加，vth会降低

居里先生

老尤皮 发表于 2019-12-21 12:09
finger和M是有差别
不知道别的工艺怎么样，我现在用的工艺，finger增加，vth会降低 ...

哪家的工艺？

老尤皮

居里先生 发表于 2019-12-21 15:18
哪家的工艺？

tsmc

victor0o0

看dummy有没有加够吧，短沟道器件Vth和laytou位置关系很大

heimag08

老尤皮 发表于 2019-12-21 12:09
finger和M是有差别
不知道别的工艺怎么样，我现在用的工艺，finger增加，vth会降低 ...

距离OD边缘近的器件Vth比较大。finger增加，处于中间的device的Vth会比两边小，所以平均的Vth也就变小了。

jamesccp

0.11 一下，finger 与 M 是严格区分的

居里先生

jamesccp 发表于 2019-12-23 16:43
0.11 一下，finger 与 M 是严格区分的

谢谢提醒，正是５５ｎｍ工艺的，目前仿真看，差距还是较大，尤其是涉及到ｖｔｈ的参数，相差很多。我仿真的是一个比较器的迟滞电压，与ｖｔｈ直接相关。

居里先生

heimag08 发表于 2019-12-23 01:36
距离OD边缘近的器件Vth比较大。finger增加，处于中间的device的Vth会比两边小，所以平均的Vth也就变小了 ...

对于ｆｉｎｇｅｒ这种情况，我能做的就是两侧加dummy，尽量做成ＡＢＢＡ匹配。如果ｆｉｎｇｅｒ和ｍ差别较大，那么在电路设计与版图设计的时候就要严格对应开来了。我之前在电路设计与版图设计中，ｍ与finger是不做区分的，lvs也不报错。估计还真是有这个问题，ps，我用的工艺是55nm的

caoyujieIC

看一下device和well边缘的距离，太近的话是会影响vth的。