在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 1512|回复: 2

[求助] MOS管导通原理相关

[复制链接]
发表于 2019-12-11 11:03:32 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
在MOS管(NMOS)的导通过程中,VDS的作用是使电子从S端漂移到D端,从而产生ID。那么在一些实际电路中,这个VDS存在吗?有的话是怎么体现的?
发表于 2019-12-11 11:19:11 | 显示全部楼层
是存在的吧,应该就是静态工作电压。实际电路中nmos一般源端是低电压而漏端的电压会比源端高jiu存在了这个电压差Vds
发表于 2019-12-11 15:02:18 | 显示全部楼层
没有太理解你说的问题。
NMOS管,VG的电压决定了沟道的开关,当大于VTH后,沟道是on。小于VTH,沟道是off。
Source和Drain在结构上是对称的。由相对电压的高低决定。电压高的,叫drain。
VGS-VDS>VTH时,管子工作在triode区。
VGS-VDS<VTH时,管子工作在saturation区。



您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条

×

小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-11-29 13:41 , Processed in 0.014760 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表