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[求助] MOS管导通原理相关

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发表于 2019-12-11 11:03:32 | 显示全部楼层 |阅读模式

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在MOS管(NMOS)的导通过程中,VDS的作用是使电子从S端漂移到D端,从而产生ID。那么在一些实际电路中,这个VDS存在吗?有的话是怎么体现的?
发表于 2019-12-11 11:19:11 | 显示全部楼层
是存在的吧,应该就是静态工作电压。实际电路中nmos一般源端是低电压而漏端的电压会比源端高jiu存在了这个电压差Vds
发表于 2019-12-11 15:02:18 | 显示全部楼层
没有太理解你说的问题。
NMOS管,VG的电压决定了沟道的开关,当大于VTH后,沟道是on。小于VTH,沟道是off。
Source和Drain在结构上是对称的。由相对电压的高低决定。电压高的,叫drain。
VGS-VDS>VTH时,管子工作在triode区。
VGS-VDS<VTH时,管子工作在saturation区。



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