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查看: 4643|回复: 9

[求助] 横向放置的电流镜的dummy该怎么加

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发表于 2019-12-7 17:29:40 | 显示全部楼层 |阅读模式

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本帖最后由 zhizhuozxd 于 2019-12-7 17:50 编辑

当需要匹配的电流镜的管子是横向放置时,dummy该怎么加?

发表于 2019-12-7 17:46:10 | 显示全部楼层
如果电流镜精度要求不高的话,随便加吧,个数控制好了就可以了,反正电流已经和整体方向不一致了
 楼主| 发表于 2019-12-7 18:22:40 | 显示全部楼层


迟京一 发表于 2019-12-7 17:46
如果电流镜精度要求不高的话,随便加吧,个数控制好了就可以了,反正电流已经和整体方向不一致了 ...


我是觉得如果是加在整体电流镜的两端(即最左边一个的gate端和最右边一个的gate端)的话不如不加了,这样加的话又没有起到多大作用,反而浪费了面积
发表于 2019-12-11 10:30:18 | 显示全部楼层


zhizhuozxd 发表于 2019-12-7 18:22
我是觉得如果是加在整体电流镜的两端(即最左边一个的gate端和最右边一个的gate端)的话不如不加了,这样 ...


可以用来做冗余啊
 楼主| 发表于 2019-12-11 15:42:06 | 显示全部楼层


迟京一 发表于 2019-12-11 10:30
可以用来做冗余啊


mos管的dummy一般都较小,就算改版一般都用不上。我倒觉得加了如果还把它的三端接到相邻的那个管子的gate端的话还会产生寄生电容,而且这种在gate端加dummy的方式没有起到dummy的真正作用,反而浪费了面积,得不偿失,所以如果是在两边加dummy的话我觉得不如不加
发表于 2019-12-11 17:18:05 | 显示全部楼层


zhizhuozxd 发表于 2019-12-11 15:42
mos管的dummy一般都较小,就算改版一般都用不上。我倒觉得加了如果还把它的三端接到相邻的那个管子的gate ...


加上肯定有必要啊,对于匹配有要求的MOS, 加上dummy 从工艺,应力,温度梯度上都可以改善匹配偏差。 就按照你说的那种加dummy的方法没问题的,电流镜的gate上多一点儿电容,影响不大。
 楼主| 发表于 2019-12-12 09:02:50 | 显示全部楼层


jueduilk 发表于 2019-12-11 17:18
加上肯定有必要啊,对于匹配有要求的MOS, 加上dummy 从工艺,应力,温度梯度上都可以改善匹配偏差。 就 ...


我只知道加dummy的主要作用是保证多晶硅刻蚀速率一致,可以帮我讲一下加上dummy从工艺、应力、温度梯度上来讲是怎么改善匹配偏差的吗?
发表于 2019-12-12 14:36:35 | 显示全部楼层
我们用到的除过固定做optio当改版用的一般都不加,没有那么多面积加dummy
发表于 2022-1-25 14:33:33 | 显示全部楼层
有时候dummy会三端接到衬底电位,有时候三端短接到MOS管的某一端,不知道有什么差别?
发表于 2022-1-25 14:53:46 | 显示全部楼层
我觉得不用加,因为正常的mos管的poly的width方向是在有源区外多出一部分的,当mos管横向放置时,这部分就可以减小刻蚀引起的误差,起到dummy的作用
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