向大家请教dummy mos 的连接，谢谢！

luqx · 发表于 2023-11-21 09:21:50

我都是不合并。

晬婴 · 发表于 2023-12-9 13:25:09

junjie1277 发表于 2019-11-15 14:04
一般mos管可以用第一种，减少match mos的drain端数量，降低寄生；如果是负阈值电压导通的nmos管，最好用第 ...

学到了~

梦见良人 · 发表于 2025-5-7 09:16:52

liliguo 发表于 2023-11-3 16:05
可以

这种为啥行，好处在哪里，poly间距都不一样，DS又不合并，哪里可以了。

我是只小菜坤 · 发表于 2025-5-30 09:18:18

学到了

hglsy · 发表于 2025-7-10 17:24:44

第一种过不了ERC吧，smic的要求是dummy gate不能接vdd或gnd呀？会有击穿风险

hglsy · 发表于 2025-7-10 17:52:12

hglsy 发表于 2025-7-10 17:24
第一种过不了ERC吧，smic的要求是dummy gate不能接vdd或gnd呀？会有击穿风险

所以要增加一个tie h和tie l电路就可以用第一种接法了

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