运放的直接设计，

M.S.Liao

   如何根据spec和工艺设计出一块OP呢？关键是宽长比，功耗这些。。。怎么才能知道是不是合适呢？拉扎维的书说了一点，Allen上的书上则用了很多篇幅，看起来也不清晰，gm/id的设计方法知其然不知其所以然，只知道是等于2/Vov，这个合适，file:///C:\Users\ADMINI~1\AppData\Local\Temp\SGPicFaceTpBq\8944\01A15A96.jpg是不是设计合适的宽长比？

空之晟

你的图片没用传上来。。。。

M.S.Liao

   

空之晟 发表于 2019-11-4 17:27
你的图片没用传上来。。。。

要啥图片呀，就是带宽200MHz，增益>40dB，

M.S.Liao

   

空之晟 发表于 2019-11-4 17:27
你的图片没用传上来。。。。

负载电流20u，负载电容100fF

AcoAco

程序取决于所选的运算放大器架构，因为每种架构都会具有不同的零极点，压摆率，BW计算。

M.S.Liao

   

AcoAco 发表于 2019-11-4 22:36
程序取决于所选的运算放大器架构，因为每种架构都会具有不同的零极点，压摆率，BW计算。 ...

如何设计保证工艺角所有的MOS管都在饱和区呢？

AcoAco

   

M.S.Liao 发表于 2019-11-5 09:15
如何设计保证工艺角所有的MOS管都在饱和区呢？

Check all transistor operating conditions at the corners.

victor0o0

   

M.S.Liao 发表于 2019-11-5 09:15
如何设计保证工艺角所有的MOS管都在饱和区呢？

根据spec，确定每个晶体管的电流大小和vdsat（或者gmoverid，这两个等效），就得到每个管子的宽长比了