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[求助] 如何在Candence中使用Spectre仿真得到某个节点的电容?

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发表于 2019-10-30 11:36:16 | 显示全部楼层 |阅读模式

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想看节点电容主要是想估算输出极点随温度的变化。输出节点上下各是一个电流镜像管子,那么PMOS和NMOS在漏端看到地的等效电容如何评估?仿真后,我点开tranOp看到很多电容,有cgs,cgd,cgg,cdd,css,还有cgdbo等带bo后缀的,数值有正的和负的,这些电容是什么意思呢?请问cdd是不是漏端等效电容呢?
看了一些帮助文档并没有找到这些名词的解释。
发表于 2019-10-30 12:03:23 | 显示全部楼层
cgs:栅-源电容 cgd:栅-漏电容后面的我也不知道了
发表于 2019-10-30 13:30:24 | 显示全部楼层
cgg是gate上看到的电容总和,一般等于cgs+cgd+cgb。
cdd,css同理。
发表于 2021-3-29 15:04:13 | 显示全部楼层
顶顶
发表于 2021-4-29 16:22:08 | 显示全部楼层
cggbo表征g端的本征电容,同理cgsbo表征gate to source端的本征电容
发表于 2021-4-29 16:22:59 | 显示全部楼层
你好
发表于 2021-4-29 16:27:58 | 显示全部楼层
大概的理解是这样的
bsim4 模型中,为表征端口电压变化时,对各端口电荷积累量造成的变化,而引入cix,且cix=dQx/dvi,其中i和x分别表征mos的各端口,而后面加bo后缀的,表征本征电容,比如cggbo就是g端的本征电容,cgsbo就是栅端对源端的本征电容。

点评

bsim4里,你这个说反了,cxi=dQx/dVi.  发表于 2022-3-23 21:52
发表于 2021-4-29 16:30:32 | 显示全部楼层
大概的理解
在bsim4模型里,为表征端口电压变化对各端口的电荷积累量的变化影响,而引入各寄生电容cii,i表示mos的各个端口
发表于 2021-4-29 16:32:19 | 显示全部楼层
带有bo的表示本征电容,比如cggbo表示g端的本征电容;cgsbo表示g to s的本征电容
发表于 2021-4-29 16:33:25 | 显示全部楼层
后缀bo,表征本征电容,比如cggbo表示mos的g端的本征电容
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