小电阻与大电阻并联减小工艺误差如何理解

hdn54321

小弟在一篇2010年MTT讲衰减器的论文中看到其使用0.18 CMOS工艺中小电阻的时候要并联几个大电阻来减小其工艺误差。原文：
The layout of the series/shunt resistors, which are the crucial components in the attenuator design, was carefully chosen.

To reduce the process variation effects of the very small resistors, the resistors connected in parallel with several larger resistors were used.


有些困惑，考虑并联一个大电阻理论上应该约等于小电阻的值。也就是若希望的电阻为R，并联大电阻Rn，那么Rtot=R||Rn≈R。
那么无论如何并联电阻都会降低原电阻值。

还是说并联大电阻主要是考虑版图绘制的技巧以及工艺稳定性的要求？




抱着疑问进行了仿真：

对于30ohm和3000ohm并联的情况分别跑了工艺角，最后结果表明并联值均与单独一个电阻值接近，略微小一点。

另外一点可能的猜测：

因为小电阻是多个电阻并联实现，整个电阻的两边并联电阻会增加电阻poly的稳定性？

acging

文章的意思是不是把几个大电阻并联做小电阻，比如并10个300做30。
楼主是不是理解错了？

hdn54321

有道理，英语不精了。
下意识就想着小电阻就是多个并联。
多谢