calibre后仿NO RC与前仿结果不一样

free_zhang

   

Analog_2020 发表于 2021-5-19 17:43
大佬，在线求救。同是calibreView后仿NO RC与前仿结果差距非常大；
检查过后发现是输入端镜像电流过小的 ...

我也碰到这个问题，请问是怎么解决的呢。感谢

Analog_2020

   

free_zhang 发表于 2021-6-10 21:15
我也碰到这个问题，请问是怎么解决的呢。感谢

在小工艺当中，要更加关心mos管的二级效应。

LOD（Length of Diffusion） 效应：当拥有相同的Gate Length 和Gate Width 的两个MOS管，

因其扩散区长度不同造成其电流不同所产生的效应为LOD效应。

STI（Shallow Trench Isolation)效应：STI压力效应就是浅槽隔离压力效应。

WPE（Well Proximity Effect）效应：阱临近效应，当离子注入时，原子从掩模板边沿开始向内扩散，阱表面浓度会随着距离掩模板边沿距离不同而不同，因此整个阱的参杂浓度是不均匀的，这种不均匀会造成MOS管的阈值电压和其他电性能不同。因此在做版图时，最好将重要的管子靠近中间放置来尽量消除WPE效应。

可以增大电流裕度，或更改输入端电流镜的尺寸看是否有所改善，multilier改成finger或许也会好得多。

waixq7

画版图时怎么解决LOD和WPE呢

文华46112

   

Analog_2020 发表于 2021-5-19 17:43
大佬，在线求救。同是calibreView后仿NO RC与前仿结果差距非常大；
检查过后发现是输入端镜像电流过小的 ...

请问一下OD是什么，是那个层次吗

analog_ICerSL

kankan

mustard

   

victor0o0 发表于 2019-8-13 18:39
可以看看每个晶体管的阈值电压是不是和前方一致
有的时候dummy添加不对的话，阈值电压差别挺大的，而且可能 ...

请问一下，后仿还能看电路图的管子吗？

菜鸟RFIC

   

Analog_2020 发表于 2021-6-11 09:16
在小工艺当中，要更加关心mos管的二级效应。LOD（Length of Diffusion） 效应：当拥有相同的Gate Length  ...

你好，这种二级效应仿真能体现出来差异？我觉得应该是工艺制造才能反映这些问题，版图设计的时候可以让他们在版图过程中考虑这些二级效应；后仿我觉得更多的是寄生参数的影响，导致后仿真有差异现象，至于二级效应仿真应该不能提现吧，如果说得不对，请指教

acocacol

   

菜鸟RFIC 发表于 2024-8-7 19:18
你好，这种二级效应仿真能体现出来差异？我觉得应该是工艺制造才能反映这些问题，版图设计的时候可以让他 ...

LDO, WPE效应后仿都可以提取的，norc就可以

菜鸟RFIC

   

acocacol 发表于 2024-8-7 21:33
LDO, WPE效应后仿都可以提取的，norc就可以

确实WPE LOD是能反映出来，谢谢