在小工艺当中,要更加关心mos管的二级效应。 LOD(Length of Diffusion) 效应:当拥有相同的Gate Length 和Gate Width 的两个MOS管, 因其扩散区长度不同造成其电流不同所产生的效应为LOD效应。 STI(Shallow Trench Isolation)效应:STI压力效应就是浅槽隔离压力效应。 WPE(Well Proximity Effect)效应:阱临近效应,当离子注入时,原子从掩模板边沿开始向内扩散,阱表面浓度会随着距离掩模板边沿距离不同而不同,因此整个阱的参杂浓度是不均匀的,这种不均匀会造成MOS管的阈值电压和其他电性能不同。因此在做版图时,最好将重要的管子靠近中间放置来尽量消除WPE效应。 可以增大电流裕度,或更改输入端电流镜的尺寸看是否有所改善,multilier改成finger或许也会好得多。
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