关于RC CLAMP 的疑问

max_max · 发表于 2021-9-25 21:08:20

本帖最后由 max_max 于 2021-9-25 21:20 编辑

sixye 发表于 2020-8-11 10:43
vt1和vhold分别是啥

上面说的VT1应该指的MOS管沟道开启电压，还有一个同样重要的漏极击穿电压，这个可以通过提高漏极掺杂浓度来减低它的击穿电压，并且降低击穿后的导通电阻。Vhold是漏极发生snapback后pn结回扫的钳位电压，这个Vhold控制不好可能会发生闩锁，RC_clamp其实可以看做第一级保护，如果没有RC_clamp，通过栅极耦合，mos的沟道也是会打开的，不管哪种形式的esd结构，沟道和漏极pn结都参与电流释放，但是沟道并联截面积远远小于漏极并联pn结面积，所以ESD发生时释放通道要分清主次。

nwpupind · 发表于 2021-11-2 14:57:43

学习，学习。。。。。

level90 · 发表于 2021-11-5 12:54:51

max_max 发表于 2021-9-25 21:08
上面说的VT1应该指的MOS管沟道开启电压，还有一个同样重要的漏极击穿电压，这个可以通过提高漏极掺杂浓度 ...

学习了！

byouth · 发表于 2022-7-27 12:49:37

不错的贴子

马金鑫 · 发表于 2022-11-30 20:48:05

wangshuai018 发表于 2021-3-23 20:23
**** 作者被禁止或删除内容自动屏蔽 ****

你好，想问一下EOS放电的机制是什么？为什么加了SAB可以增加EOS能力

小灰 · 发表于 2023-1-11 09:57:33

学习学习

Anihacyo · 发表于 2023-12-5 14:57:00

想请教下，您这个RC 500ns是根据什么来取值的呀？

xm123 · 发表于 2024-5-21 11:35:23

Anihacyo 发表于 2023-12-5 14:57
想请教下，您这个RC 500ns是根据什么来取值的呀？

HBM的波形中0~10nm内会存在一个上升沿，HBM放电的电压高；（HBM曲线的上升时间）

VDD从0到电源电压，快上电时间可能是1us，（快上电的时间）
所以RC的时间常数取这两个时间的中间值。
（刚看的资料，勿喷，欢迎补充）

尹懿汐 · 发表于 2024-6-17 17:38:15

本帖最后由尹懿汐于 2024-6-17 19:13 编辑

楼主，请教一下，你说打TLP，出现snapback。是题图中的仿真电路和结果吗？？还是说给逐步增大的100ns方波，仿tran？

尹懿汐 · 发表于 2024-6-17 19:11:00

本帖最后由尹懿汐于 2024-6-17 19:13 编辑

学习了

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