为什么GCNMOS 是commin drain结构

冷魂葬月 · 发表于 2019-6-27 12:13:27

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

您需要登录才可以下载或查看，没有账号？注册

x

请教下，如果GCNMOS 不是common drain结构，而是将drain 端放在OD外侧，对ESD 有什么影响？

andyjackcao · 发表于 2019-7-3 22:06:48

本帖最后由 andyjackcao 于 2019-7-4 21:27 编辑

请教下，如果GCNMOS 不是common drain结构，而是将drain 端放在OD外侧，对ESD 有什么影响？

         如果你的RC时间常数很大，Prime- NMOS也很大，可保证NMOS导通放电；非common drain结构，也OK；（通常情况下不会，除非仅要求2KV）

         如果你的RC时间常数较小，NMOS就很有可能进入Snapback区。并有可能导致边缘的NPN(FOD)开启。

         如果FOD性能很OK，也没关系；根据测试结果来定。
      通常，这个FOD在不同工艺有不同的表现。需要引起注意。所以，在没有数据之前，做成common drain结构

[求助] 为什么GCNMOS 是commin drain结构

马上注册，结交更多好友，享用更多功能，让你轻松玩转社区。

站长推荐 /2