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[讨论] 大家来讨论下TSMC 的7nm vs 7nm+ vs 6nm

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发表于 2019-6-21 15:56:30 | 显示全部楼层 |阅读模式

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从7nm到7nm+到6nm, TSMC一直在讲density提升多少,一直没提performance变化。
个人猜测是不是代表着N7 > N7+ > N6只是EUV layer层数的不同,而关键尺寸,Finfet的width, gate length并没有变化?

那么density的提升究竟是哪些layer使用EUV来做到的拉?大家来讨论下啊。

发表于 2019-6-23 13:28:32 | 显示全部楼层
Density 的提升就意味着关键尺寸的shrink,performance 或多或少会有提升吧。EUV可以做到更小的pitch,也可以减少光罩数量,节省成本。具体用在哪里就不得而知了。
 楼主| 发表于 2019-6-24 10:25:39 | 显示全部楼层


水泥匠 发表于 2019-6-23 13:28
Density 的提升就意味着关键尺寸的shrink,performance 或多或少会有提升吧。EUV可以做到更小的pitch,也可 ...


就fab而言,performance能提升5%,都是此工艺的亮点,看起来这几个节点,并没有明显的performance提升
发表于 2019-6-26 16:40:44 | 显示全部楼层
fin 的length 继续缩小,同时fin的高度增加,fin的角度更接近直角,有效width在增加。
EUV 基本用在5nm及以下节点,7nm还没用到啊
发表于 2019-6-26 16:53:27 | 显示全部楼层


firewolf223 发表于 2019-6-26 16:40
fin 的length 继续缩小,同时fin的高度增加,fin的角度更接近直角,有效width在增加。
EUV 基本用在5nm及以 ...


Intel10nm工艺晶体管密度就相当于三星、台积电、GF7nm工艺了, 先前听说INTEL 卡再10nm 就是跟 EUV工艺   
=> 有人知道原因吗?  samsung也跨入EUV 会不会也出问题 ?

台积电预计在2019上半年展开5nm制程风险试产,锁定手机与高性能运算芯片应用;相较于第一版不采用EUV7nm制程,5nm节点的密度号称可达1.8倍,不过功耗预期只降低20%、速度约增加15%,采用极低阈值电压(ELTV)技术则或许能提升25%,但该公司并未提供ELTV技术的细节 台积电要到第二代7nm工艺N7+上才会使用EUV工艺,因此三星算是首家大规模量产EUV工艺,激进的三星在7nm工艺就直接上EUV,未来的5/4/3nm节点也会全面使用EUV工艺。

  
GAA晶体管将是未来最有可能突破7nm以下FinFET工艺的候选技术。

三星所说的MBCFET,其实属于水平沟道栅极环绕技术(Horizontal gate-all-around,有些文献中又称为Lateral gate-all-around,以下简称水平GAA,栅极环绕则简称GAA)的一种。尽管并没有公开对外宣布,但其它的芯片厂商其实也在同一个方向努力,所计划的启用时间点也是大同小异。大家都是采用水平GAA,只不过鳍片形状各有不同,三星是采用纳米板片形状的鳍片,有些厂商则倾向横截面为圆形纳米线形状的鳍片。这些都属于水平GAA,其它的变体还包括六角形鳍片,纳米环形鳍片等。


 楼主| 发表于 2019-6-26 16:58:19 | 显示全部楼层


firewolf223 发表于 2019-6-26 16:40
fin 的length 继续缩小,同时fin的高度增加,fin的角度更接近直角,有效width在增加。
EUV 基本用在5nm及以 ...


N7+和N6都用到EUV, 下半年基于N7+的麒麟985就出来了
发表于 2019-6-26 17:22:11 | 显示全部楼层


lijie5992373 发表于 2019-6-26 16:58
N7+和N6都用到EUV, 下半年基于N7+的麒麟985就出来了


我说7nm没用EUV 没说N7+没用,你说的N7+ 和N6到底是多少你也没有讲啊
 楼主| 发表于 2019-6-26 17:27:06 | 显示全部楼层


firewolf223 发表于 2019-6-26 17:22
我说7nm没用EUV 没说N7+没用,你说的N7+ 和N6到底是多少你也没有讲啊


并没有做N7+ 和N6的设计,所以才请教做过的人来讲下
发表于 2019-7-24 23:17:33 | 显示全部楼层
N7+与N7有社么不一样?
发表于 2019-8-9 14:12:46 | 显示全部楼层
N7+和N7 设计规则用的是用一套,优化了前端和中段工艺(EUV好像处理了4层光罩,不知道有没有换中段的金属),可在相同耗能下,将性能提升7%,或者在相同的性能频率下,降低10%的能耗。评估A13和麒麟 985 会率先使用该工艺。如果设计规则不变的话,按说晶体管密度应该不会有变化吧?
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