VDMOS

zhouyang123 · 发表于 2019-6-19 20:31:06

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VDMOS，硅刻蚀后做metal sputter（Al Si Cu），在孔的侧壁会析出硅，为什么？求助论坛大佬。

lijie5992373 · 发表于 2019-6-20 13:44:37

一般认为是ALSICU Sputter 后，在蚀刻做成线条后才出现SI残留，因为蚀刻气体无法吃掉SI，这种叫硅渣。你这个反了吗？还是本身SI蚀刻就有残留？

zhouyang123 · 发表于 2019-6-21 13:22:24

刻蚀硅，之后再上边淀积铝，淀积完了发现硅的侧壁拐角处析出了硅。并不是硅的残留，而是因为做metal sputter在孔处析出了硅。

icer_518 · 发表于 2019-7-22 13:21:26

学习了

绿柳轻扬 · 发表于 2020-1-8 17:10:57

想多学习下，你cont是全干刻的侧壁指氧化层还是有做trench的侧壁

绿柳轻扬 · 发表于 2020-1-8 17:12:53

al sputter工艺机台确定没异常？

newbie11 · 发表于 2020-4-26 16:05:34

跟Al和Si的互溶系数相关，属于正常现象，看你用什么方法解决

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