第四届MOS-AK 器件模型国际会议

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         第四届MOS-AK会议的筹备工作基本结束，在主办方成都电子科大的积极努力下，今年赞助商数量，投稿数量，邀请报告数量都创历年新高。 关于此次器件模型国际会议的最终日程，主要由二部分组成，第一部分是6月20日的培训，主题是基于SiGe HBT工艺的器件建模，电路设计以及终端应用（120GHz, 300GHz)，主讲者是来自Infineon 和 Silicon Radar 的欧盟项目专家。第二部分 6月21日-22日是MOS-AK成都正式会议，这次我们收到了近30篇文章，内容涉及IGBT，advanced CMOS，SOI，GaN, GaAs, FinFET，TFT以及最热门的AI在器件模型中的应用等。由于上台演讲人员数量有限，对于那些投稿不能上台演讲的，我们安排了POSTER，让大家会议期间线下交流各自项目经验，同时这次录取的投稿，我们也承诺安排后续SCI 期刊的对接，更多鼓励学生高质量投稿。为了展现模型和设计结合重要性，主办方还安排了设计竞赛项目，内容是Wide band PA 设计（工艺OMMIC DO1GH）。总的来说，这次活动丰富多彩，又是一年一度模型，设计，工艺，应用等半导体专业人员共聚一堂，分享项目经验的一次盛会。

Agenda:（可点下图放大观看）

mos-ak agenda

（Note: 以上内容和演讲顺序，有可能会有改变，请以现场实际安排为主）

     器件模型的发展离不开产学研的紧密配合，牵涉的面也非常广。如何获得更多核心价值的设计，模型越来越显得重要。可是作为幕后英雄的模型产业如何获得更多产业的支持需要更多讨论。只有让设计公司，半导体公司以及相关的产业获得更多的切身体会，才能树立起模型作为桥梁的意识形态。当然，已经投身于模型产业，或者和模型产业相关的企业，科研院所，学校，基地等给与这次大会很大的支持，再此特别表示感谢。

    模型对于设计，特别模拟射频至关重要，所以感兴趣的不妨去了解一下我们的活动。如果您是设计公司，通过参加这个活动，就能了解到怎么让自己的产品赢在起跑线上；如果您是半导体厂，通过参加这个活动，就能了解到设计公司的心声，更好地为设计公司服务；如果你是EDA公司，那么你会了解模型能给EDA工具带来多大的功效和商业价值。因此，无论您处于半导体行业的哪个环节，都能从中学到想学的知识。

   


      

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欢迎大家参与6月20-22日成都的MOS-AK会议