谁能告诉我GDNMOS是如何让泄放电流的

cst00 · 发表于 2019-5-23 17:59:52

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谁能告诉我GDNMOS是如何让泄放电流的

cst00 · 发表于 2019-5-24 12:13:35

没有人能回答我吗

lalala2018 · 发表于 2019-5-24 13:54:44

esd来时，vcco电压抬高，因为有rc的存在，反相器的栅端跟vcco产生压差，输出高电平开启MN0 都是我猜的，这个触发速度是比较快的

cst00 · 发表于 2019-5-24 14:28:57

lalala2018 发表于 2019-5-24 13:54
esd来时，vcco电压抬高，因为有rc的存在，反相器的栅端跟vcco产生压差，输出高电平开启MN0 都是我猜的，这 ...

vcco不会先经过ESD管子吗？

lalala2018 · 发表于 2019-5-24 18:00:59

cst00 发表于 2019-5-24 14:28
vcco不会先经过ESD管子吗？

如果先esd管那不就是ggnmos么，gdnmos的先决条件是反相器比ggnmos寄生的pnp触发条件更低，速度更快都是我瞎说的

level90 · 发表于 2021-11-25 16:15:49

最近在看ESD的各种资料，这个问题我也不理解。想求救一下。
我只能理解GND侧有负压ESD的时候的启动过程。
VCCO侧有正压ESD的时候它是如何工作的呢？

CmosLgh · 发表于 2022-1-14 15:17:49

level90 发表于 2021-11-25 16:15
最近在看ESD的各种资料，这个问题我也不理解。想求救一下。
我只能理解GND侧有负压ESD的时候的启动过程。
V ...

你的猫头好看

level90 · 发表于 2022-1-29 08:51:12

CmosLgh 发表于 2022-1-14 15:17
你的猫头好看

哈哈哈
可惜不是我的猫

level90 · 发表于 2022-1-30 08:42:17

本帖最后由 level90 于 2022-7-25 13:49 编辑

分4种情况
1) VCCO上负压ESD
2) GND上正压ESD
3) VCCO上正压ESD
4) GND上负压ESD

1) 2)一起讲，
正常情况下，MN0可以视为一个反偏二极管（寄生)。
但产生1) 2)两种情况时，都可以视为静电冲击时的电压 GND > VCCO。
MN0 B端（Pwell）和Drain端(N+注入)正向导通，直接放电

3）4）情况稍微不同，但是结果都是一样的，MN0沟道放电为主。
3）因为kΩ级R的存在，使得在VCCO被正压ESD冲击时，近inv gate的那端会因为R限流作用电压升高不明显。导致MP1的S/G产生压差，此时MP1 Vgs > 开启电压，inv输出高电平。MN0被打开，导通放电。
4）GND受负压ESD冲击，通过C的couple作用把inv gate端电压拉低，同样使得MP1 Vgs > 开启电压, 最终结果一样。

viewteck · 发表于 2022-1-30 10:39:51

level90 发表于 2022-1-30 08:42
分4种情况
1) VCCO上负压ESD
2) GND上正压ESD

专业

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