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查看: 6305|回复: 13

[求助] TSMC sealring LVS 错误

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发表于 2019-5-20 10:08:32 | 显示全部楼层 |阅读模式

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大家好,我的版图在没加sealring时, LVS是过的。加了sealring后LVS有两个错。

第一个是stamping conflict。 我理解是sealring 也有substrate contact, 所以LVS也判定为是地。 而这个gnd没有和core的gnd相连。 所以我加了一圈psub2把sealring圈起来。 大家觉得我的方法对吗?还是我应该把sealring的地和core的地接起来?

第二个错是一个叫C(CM) 的电容。TSMC的sealring有一个单元叫CONT就是产生这个电容的原因。 而LVS rule file 里面有一句在 17512行: "//DEVICE C(CM) mim_r p3 crown"。 我把这行注释掉, LVS错就没了。请问这么做是对的吗? 还是我哪里用错了?

谢谢大家!

发表于 2019-5-20 10:28:44 | 显示全部楼层
对于第一个问题,我们的做法是在gnd pad的位置用Mn-1连接起来
对于第二个问题之前做的项目(tsmc55工艺)也是遇到这个问题,之所以会出现这种类型的电容,是因为sealring上面盖了这种类型的识别层,但是芯片内部是没有用到这种电容的,因此tapeout时gds是不会上传这些识别层。后面也询问过foundry,foundry回复说是可以去掉这些识别层的,我们的做法也是直接删掉这些识别层。
发表于 2019-5-20 10:43:53 | 显示全部楼层
第一个问题,sealring可以接地,也可以不接地,这个得和foundry确定,因为有 的工艺就不让接地,加PSUB2就可以。
第二个问题,你需要确定你的内部电路是否用了这个device,如果没用,这个错误可以waive
发表于 2019-5-20 10:46:19 | 显示全部楼层
之前项目(tsmc55工艺)也遇到这两个问题,对于第一问题,我们做法是在gnd 的其中一个PAD的位置用Mn-1连接起来;对于第二个问题,之所以产生这种类型的电容是因为sealring上盖了某些电容识别层(应该是p3 crown这些层),询问foundry后,foundry回复对于没有用到的layer,tapeout时gds是不上传这些layers的,所以我们的做法是直接删掉这些电容的识别层
 楼主| 发表于 2019-5-20 15:47:27 | 显示全部楼层


yiweikun 发表于 2019-5-20 10:43
第一个问题,sealring可以接地,也可以不接地,这个得和foundry确定,因为有 的工艺就不让接地,加PSUB2就 ...


感谢回复! 那么请问您:如果foundry没有要求的话, floating比较好还是ground比较好?

发表于 2019-5-20 16:12:49 | 显示全部楼层


minghao 发表于 2019-5-20 15:47
感谢回复! 那么请问您:如果foundry没有要求的话, floating比较好还是ground比较好?

...


http://bbs.eetop.cn/thread-857641-1-2.html可以参考这个帖子

点评

感谢!  发表于 2019-5-20 16:27
 楼主| 发表于 2019-5-20 16:26:47 | 显示全部楼层


寻雨 发表于 2019-5-20 10:46
之前项目(tsmc55工艺)也遇到这两个问题,对于第一问题,我们做法是在gnd 的其中一个PAD的位置用Mn-1连接 ...


您好! 感谢回复!
我用的是1P9M的技术(最上层还有一层Al不算的话)。我试了试您说的方法把GND pad的M8连到sealring, 发现stamping conflict 还是存在....
我试了试发现, 我需要额外加至少一个M1_OD的via。 似乎TSMC提供的sealring样本并没有和OD连起来。 请问您当时也遇到这样的情况了吗?

再次感谢您的帮助!
发表于 2019-5-22 10:32:04 | 显示全部楼层
1. floating即可,没影响
2.去除识别层即可
发表于 2020-4-1 16:47:38 | 显示全部楼层
问一下,sealring是自己画还是tsmc提供的
发表于 2021-11-18 17:12:49 | 显示全部楼层


minghao 发表于 2019-5-20 15:47
感谢回复! 那么请问您:如果foundry没有要求的话, floating比较好还是ground比较好?

...


请问一下,tsmc的sealring在哪里找到的呢?我们现在的pdk里没有sealring
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