片外电容补偿的ldo的psr问题

没人我来顶 · 发表于 2019-5-14 16:35:40

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本帖最后由没人我来顶于 2019-5-14 16:37 编辑

小弟要在有缘电缆芯片做一个3.3V转2.8V的ldo，电流最大150mA，psr全频带<15db，片外电容打算用4.7uF的陶瓷电容，问题来了，做到最后，再跑supply_slow（2.97V），iload_max（150mA）这个case下，psr在高频（1G左右）总是很大，最后定位的原因是选的陶瓷电容的阻抗在1G下阻抗在0.5欧姆左右（我在murata找到的最好的一个），那就是说想要在1Ghz psr<-15db，输出往上看到的阻抗需要大于2.3欧姆，这很难呀，power管的gds在那个case下就400m左右，再算上寄生电容，psr只能做到-6db左右，请教一下我这个片外电容选的有问题吗，图1是我选择的电容的特征阻抗曲线，图2是电路的psr曲线，电路结构就是运放+ssf+p功率管那种很传统的，就不贴了

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totowo · 发表于 2019-5-15 09:34:53

大电容的自谐振频率低，在1G处已经不表现为电容了。。
你在这个电容上再并联一个或几个自谐振频率高的pF级的电容试试

没人我来顶 · 发表于 2019-5-15 10:57:07

这是电路的core和testbench，其中片外电容的spice模型我从网上下载import到电路里了，有一个问题是如果再load 250p电容，psr最高的地方对应的频率在1G，把点燃那个改成1250p，psr并没有提高，反而把最高点往左推到500M左右了，这很奇怪

jeffej · 发表于 2019-6-12 14:01:14

still in learning ~!!

rain2018 · 发表于 2019-6-12 17:17:02

路过帮顶

[求助] 片外电容补偿的ldo的psr问题

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