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[求助] 关于RF CMOS工艺

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发表于 2019-4-22 19:23:40 | 显示全部楼层 |阅读模式

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最近在做射频方向,想用CMOS工艺搭建电路,但是看到有的论文提到了RF CMOS 工艺。想问一下RF CMOS工艺和普通的CMOS工艺有什么区别?
发表于 2019-4-22 19:49:56 | 显示全部楼层
顶层特厚,做电感
 楼主| 发表于 2019-4-22 20:12:07 | 显示全部楼层


jamesccp 发表于 2019-4-22 19:49
顶层特厚,做电感


您能说的详细一点吗,我不是太懂。我现在用普通的0.18CMOS工艺搭建功率放大器的原理图,会不会有什么问题啊

发表于 2019-4-23 19:15:02 | 显示全部楼层
MOS管等器件,物理上是一样的,但模型复杂很多。为保证模型准确,RFMOS的layout都是厂家提供特定画法
 楼主| 发表于 2019-4-23 21:52:44 | 显示全部楼层


jamesccp 发表于 2019-4-23 19:15
MOS管等器件,物理上是一样的,但模型复杂很多。为保证模型准确,RFMOS的layout都是厂家提供特定画法 ...

哦哦,这么说他们只是layout不一样,但是单纯用原理图仿真的话,对结果不会有影响吧
发表于 2019-4-23 22:30:34 | 显示全部楼层
普通逻辑CMOS只需要nmos,pmos
RFCMOS含有:nmos,pmos,resistor,mim/mom cap,varactor,inductor(超厚金属)
发表于 2019-4-24 12:43:00 | 显示全部楼层
所以仿真也最好用RF的管子啊,模型比较准确。
发表于 2019-4-26 22:49:17 | 显示全部楼层
你点开layout看就知道了,普通的就是源栅漏衬底,RF的衬底画法比较有要求,有的层次也多一些,不同工艺区别还很大。仿真库的元件特性也很不一样的
发表于 2019-5-6 14:51:26 | 显示全部楼层
可以用bicmos工艺
发表于 2019-5-6 19:05:25 | 显示全部楼层
总结一下就是,普通工艺比如018 LOGO工艺的器件少,功能简单,对应到layout所用到的MASK层数也少。
RF工艺比如018 MX工艺,器件种类多(比如DNW用于隔离衬底噪声等,MCT或者是P2等层次用于制作MIM电容,如果电感对顶层有要求的话那顶层厚度也要根据需要选择),对应layout所用到的MASK层数会多。
但只是对于仿真的话,工厂给的MODEL应该都是OK的,需要你自己去验证。

点评

可以的,灭霸回答的很好,***  发表于 2022-11-25 10:26
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