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查看: 1480|回复: 1

[求助] SerDes 负载电容 封装电感 电容

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发表于 2019-4-6 21:16:54 | 显示全部楼层 |阅读模式

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  最近在做12Gbps SerDes发送端电路。在加负载仿真眼图时,问封装厂要了参考的 PAD电容 大约1pF,Bonding wire大约2.8nH。由于这两个值较大,高频信号过封装模型后,幅度有较大衰减。眼图高度不够。(500mV衰减到300mV)
  在看论文时,发现有的文章中, 电容有 0.4p、0.5p的  ,bonding电感有 1.5nH的
由于这两个参数直接影响最后眼图质量。想请问各位有经验的,这两个值实际取多大较为合适?还有方法减小其影响吗?
发表于 2019-4-8 19:02:42 | 显示全部楼层
实际值大小跟你的IO设计、ESD结构和封装都有关系的
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