MEMS红外温度传感器之-抗热冲击/查表法

Dorian.liu

                                                                       如何避免热冲击影响传感器

用户在实施非接触温度测量应用时，要避免手或其他热源接触到传感器金属封装外壳，同时避免空调、风扇、暖气等冷/热流直接作用于传感器金属封装外壳。由于辐射、对流和传导三种传热方式存在热力学差异，当传感器温度受外界影响发生快速变化（>10 ℃/s）时，传感器热堆芯片冷热端会发生热失衡，输出电压出现过冲现象，不利于非接触温度测量应用的稳定性和准确性。

在环境温度或其他因素影响传感器温度发生快速变化的情况下，建议用户将装有传感器的PCBA或产品在新的环境下稳定10min后再进行温度测量；当应用场景特殊，无法避免传感器温度经常快速变化的情况下，建议用户在传感器金属封装外壳上加装热沉，减缓热失衡和过冲幅度，并在算法中延长采样周期。

还有一种成本高一点的解决办法，即在热电堆传感器外壳上加装一个加热块或者加热管，使得传感器温度保持恒温，可以消除环境温度对传感器的影响。

                                                                          如何查表函数和反查表函数

用户在使用热电堆传感器实施非接触温度测量时，需要应用美思先端随热电堆传感器提供给用户配套的标准T-R表和标准V-T表，步骤如下：

5.1 将标准R-T表的数据进行线性插值计算处理后生成RNTC -TNTC二维数组存储到单片机的非易失性存储器中。

如图例所示，标准R-T表中并不包含蓝色的数据点，如(23.5,106.9320)是由(23,109.3204)和(24,104.5436)这两个标准R-T表数据点做线性拟合计算得到的。用户可以根据测量场景的不同温度段的精度要求以及单片机中可用存储器的容量，来设定线性插值计算的步长。用户也可以根据NTC分压测电阻电路和ADC电路的参数，计算生成VNTC -TNTC二维数组或ADCNTC -TNTC二维数组（如例图中绿色、棕色数据点所示），以方便单片机的计算。

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