关于rpposab匹配电阻上覆盖金属M1的问题

lichunlin2019

示意图

问题是这样的：情况1电阻L=40um，W=0.4um
                    情况2电阻L=20um，W=0.4um 目前工艺规定，金属宽度超过30um就要挖slot
图1、2、3分别是覆盖金属的几种情况，但是都有问题：
图1是最理想的全覆盖（电阻体全部覆盖M1，一直到电阻体边缘sab），原先电阻尺寸是L=40um，这样横向铺M1，就得出现图3那样的情况，电阻中间slot开口的地方没有M1覆盖，导致电阻体部分有覆盖，部分没覆盖，平坦化不一致，所以就将电阻改成L=20um，个数加倍，然后按图1方式全覆盖M1（

一直到电阻体边缘sab），可蛋疼的问题又来了，M1密度过大（超过90%），没办法解决

图2是沿着电阻方向覆盖M1，每条电阻覆盖一条M1（比电阻稍宽M1，横向延伸到sab边缘），每条M1间符合M1间距DRC规则，最后再横向用一条M1接GND，这样既保证了电阻体全覆盖M1，又满足了密度问题，但总感觉很别扭，不知道哪位大神，有其他的方法吗？如果直接不覆盖M1，电阻上不走线，是否更好呢？(目前采用的是图2的方式)求大神赐教

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请问你这堆电阻是用来做什么的呢？为何必须要覆盖满接gnd的metal1呢？你是打算在上面走其他信号线吗？
如果是用来屏蔽用的，为何要纠结挖slot的问题呢？挖的均匀点满足DRC要求不就可以了吗？
不过如果是比较敏感的电阻最好不要改变电阻原始的L，毕竟抽头儿也会引入额外的电阻差异，和schematic保持一致为上策

yanpflove

1，查阅工艺文档，是否存在guidelines，很多工艺会提供关于匹配的设计指导。一般来说，匹配器件上是不希望出现其他东西的。匹配电阻，交叉匹配，两头的金属线短短地跨过电阻头，影响不会很大的。
  具体的量化的数据，工艺文档中应该提供mismatch characteristic的；可以咨询电路设计师，获得他们需要的匹配精度，高匹配精度在版图上一般是以面积和时间为代价的；
2，电阻上不走线，且不覆盖金属更好：
  （1）poly电阻上出现金属，金属一定会对poly产生影响；
  （2）将poly电阻上的金属图形调整，使得匹配电阻上覆盖的金属图形一致，会减少系统失配；但是poly上存在金属带来的随机失配，不会减小。
  （3）电阻上覆盖金属的好处是静电屏蔽，屏蔽来自上方的电场对电阻的影响，电导调制，影响电阻值；如果不走线，则无干扰源，静电屏蔽就没必要了。
3，关于你的第二张图，涉及到两个问题：
  （1）有效的金属场板需要覆盖poly电阻一定范围，为了降低边缘电场的影响，那么就需要增大金属包电阻poly的面积，从而导致poly间距增大；
  （2）匹配电阻之间距离越小，匹配越好；为了加场板而增大poly间距，总体效果应该是变差的。
4，总结影响电阻匹配的一些因素的重要程度：
  材质一致>尺寸一致>方向一致>位置/环境一致（dummy）>寄生效应（衬底寄生电容、金属线噪声、连线电阻、通孔电阻、连线电容、电导调制、电压非线性、温度非线性……这个括号里的没有排序）

lichunlin2019

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    电阻是ldo、bg等模块内的匹配电阻，模拟前端人员强烈要求覆盖金属M1，而且上面不走其他线，没有去拉升头电阻L，所以才采用了图2的方式，就是不知道行不行，好像MPW回来也没什么影响，模块功能都正常

lichunlin2019

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    十分感谢

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