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[讨论] 28nm制程的版图技巧有哪些

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发表于 2018-11-27 16:59:31 | 显示全部楼层 |阅读模式

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跟大工艺的差别 或者心得 拜一下大佬
发表于 2018-11-28 10:43:59 | 显示全部楼层
很惭愧,90nm及以下的工艺都没用过。
发表于 2018-12-29 14:22:17 | 显示全部楼层
注意二级效应,全芯片poly方向最好一致,IO管可以不一致。

点评

到28nm的话应该是低压管方向必须要保持一致,高压管没有方向要求,IO部分的ESD是PDK是给到了V或者H两种选择的cell  发表于 2021-12-17 09:44
发表于 2019-1-29 08:44:10 | 显示全部楼层
3#正解,poly方向一致是最重要的
发表于 2019-1-29 10:12:58 | 显示全部楼层
注意density大片mos res poly density过大还有res的OD density也要注意
发表于 2019-2-2 17:38:02 | 显示全部楼层
回复 5# 埃杜阿多


   那如果是在Poly 电阻下的OD density一般要怎么处理呢?

点评

poly电阻的finger之间是带od dummy的,是满足density要求的  发表于 2021-12-17 09:45
发表于 2019-2-11 15:08:19 | 显示全部楼层
回复 6# wangjianghua
把电阻space拉大 吧OD dmy width调大我记得28nm电阻有调节这些的选项
发表于 2019-2-11 15:30:26 | 显示全部楼层
很惭愧,90nm及以下的工艺都没用过。
发表于 2019-4-10 09:27:15 | 显示全部楼层
惭愧啊,还没有接触过先进工艺
发表于 2019-12-29 21:01:27 | 显示全部楼层


埃杜阿多 发表于 2019-2-11 15:08
回复 6# wangjianghua
把电阻space拉大 吧OD dmy width调大我记得28nm电阻有调节这些的选项 ...


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