GaN器件使用Sentaurus-TCAD仿真出现问题

IC蜘蛛网理论 · 发表于 2018-10-17 18:56:07

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(sdedr:define-constant-profile "CP.xMole" "xMoleFraction" x)
(sdedr:define-constant-profile-region "CP.xMole" "CP.xMole" "AlGaN" 0 "Replace")
以上语句是在SDE里面编辑的，但是不懂摩尔分数常熟掺杂中x指AlGaN中那一部分值，并且这一部分定义与后面sdevice中的摩尔分数变量定义有没有关系？？？
以及查过手册，SDE里面没有介绍摩尔分数详细用法
请不吝指教！

_michaelx_ · 发表于 2018-10-22 10:52:16

我觉得应该是这样，AlxGa(1-x)N，跟软件无关，半导体器件物理一般都这样定义吧，TCAD应该也遵循

[求助] GaN器件使用Sentaurus-TCAD仿真出现问题

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