降压式DC/DC转换器的MOSFET选择

vim1 · 发表于 2010-5-2 12:30:29

很专业，很敬业
thanks

ideal716 · 发表于 2010-5-8 16:01:06

ddddddddddddddddd

wuqinghai8217 · 发表于 2010-5-8 20:32:44

Ron非常重要，在选择mos的时候

dsp24x · 发表于 2010-5-8 23:42:19

謝謝分享~

mingli741 · 发表于 2010-5-9 09:37:56

谢谢分享

smx0422 · 发表于 2010-8-4 17:12:48

xxxxcccccvvvvv

gouleb1 · 发表于 2011-7-6 18:43:38

thanks for sharing

freezing616 · 发表于 2011-8-9 10:31:59

降压式DC/DC转换器的MOSFET选择
同步整流降压式dc/dc转换器都采用控制器和外接功率mosfet的结构。控制器生产商会在数据资料中给出参数齐全的应用电路，但用户的使用条件经常与典型应用电路不同，要根据实际情况改变功率mosfet的参数。
对功率mosfet的要求
同步整流降压式dc/dc转换器的输入及输出部分电路如图1所示，它是由带驱动mosfet的控制器及外接开关管(q1)及同步整流管(q2)等组成。目前，q1和q2都采用n沟道功率mosfet，因为它们能满足dc/dc转换器在输入电压、开关频率、输出电流及减少损耗上的要求。

图1 同步整流降压式dc/dc转换器的输入及输出部分电路简图
开关管与同步整流管的工作条件不同，其损耗也不一样。开关管有传导损耗(或称导通损耗)和栅极驱动损耗(或称开关损耗)，而同步整流管只有传导损耗。
传导损耗是由mosfet的导通电阻rds(on)造成的，其损耗与i2d、rds(on)及占空比大小有关，要减少传导损耗需要选用rds(on)小的功率mosfet。新型mosfet的rds(on)在vgs=10v时约 10mω左右，有一些新产品在vgs=10v时可做到rds(on)约2～3mω。
栅极驱动损耗是在开关管导通及关断瞬间，在一定的栅源电压vgs下，对mosfet的极间电容(如图2所示)进行充电(建立vgs电压，使mosfet导通)和放电(让vgs=0，使mosfet关断)造成的损耗。此损耗与mosfet的输入电容ciss或反馈电容crss、栅极驱动电压vgs及开关频率fsw成比例。要减小此损耗，就要选择ciss或crss小、阈值电压vgs(th)低的功率mosfet。

freezing616 · 发表于 2011-8-9 10:34:15

非常不错！！！！！！！！！

王东旭 · 发表于 2016-7-6 14:46:41

谢谢LZ



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降压式DC/DC转换器的MOSFET选择

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