请教一个低电流基准设计问题,非常感谢!

USTM · 发表于 2007-9-21 14:17:31

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我所做的bandgap要求起quiescent current 达到nＡ的级别，只能有３０nＡ左右，采用传统的零温漂基准结构的话，存在一个问题：所用的电阻值太大．因为ＰＮＰ管Ｖbe的导通电压要求在那去了，而且Ｖbe1－Ｖbe２＝ＩＲ，电流要小，则电阻值会很大，而且要达到Vref的话,还要用的电阻值更大.曾经考虑个采用低压的电流式基准,但发现好象用电阻更多了.小弟我想请教下,用多电阻在这会对性能产生多大影响,剧我所知,电阻多了以后对于热躁产生会比较大,而且电阻的匹配性在版图上难度也比较大!
恳请指点一二,有没有改良的电路结构方法,且用这么多电阻在实际中会有多大的影响.谢谢

iamxo · 发表于 2007-9-22 09:34:25

用subthreshold region工作来实现，这样电流可以很小，不过这样输出电压不会是1.25V。

haibianxia · 发表于 2007-9-22 13:21:58

你这个BANDGAP是用在什么地方的

USTM · 发表于 2007-9-25 12:40:26

我设计中把这个bandgap电流源都设置在subthreshold region状态,Vref为1.195V,但是由于Vref=IR+Vbe,I太小的话，Ｒ很大,我现在做的Ｒ都达到１.９Ｍ了.而且同时我也将PNP的E极area设计得比较小,只有2u*2u,个人很担心会影响匹配性.

会出什么问题吗?谢谢

这个电路是用在Voltage Detector中的.