在线咨询
eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
切换到宽版

EETOP 创芯网论坛 (原名:电子顶级开发网)

手机号码,快捷登录

手机号码,快捷登录

找回密码

  登录   注册  

快捷导航
搜帖子
查看: 4135|回复: 5

[资料] Introducing Technology Computer-Aided Design

[复制链接]
发表于 2018-8-14 22:58:58 | 显示全部楼层 |阅读模式

马上注册,结交更多好友,享用更多功能,让你轻松玩转社区。

您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册

x
本帖最后由 xhwubai 于 2018-8-15 14:07 编辑

Introducing Technology Computer-Aided Design.zip (13.48 MB, 下载次数: 145 )
About the Author

                                                                                                

Chinmay K. Maiti received his B.Sc. (Hons.) in physics (1969), B.Tech. in applied physics (1972), and M.Tech. in radio physics and electronics (1974) from the University of Calcutta, India. He then did his M.Sc. (Res.) in microelectronics (1976) from Loughborough University, UK, and PhD (Eng.) in microelectronics (1984) from the Indian Institute of Technology (IIT), Kharagpur, India. He later joined IIT as professor and was head of the department (2009–2012). From 2004 to 2006 he was a visiting professor at Queen’s University, Belfast, UK. Ignoring an extension offer from IIT, he joined the SOA University, Bhubaneswar, India, in 2015. Dr. Maiti won the INSA-Royal Society (UK) Exchange of Scientists Fellowship in 2003, the CDIL Award for Industry of the Institution of Electronics and Telecommunication Engineers for the best paper in 1997, and the West Bengal Academy of Sciences Fellowship in 2007. He is interested in semiconductor device/process simulation research and microelectronics education. He has published more than 265 technical articles in the silicon-germanium and heterostructure-silicon areas, written 6 monographs and 6 book chapters, and edited Selected Works of Professor Herbert Kroemer (World Scientific, Singapore, 2008).


  • contents note: 1.1.The Need
  •                                                          1.2.Role of TCAD
  •                                                          1.3.TCAD: Challenges
  •                                                          1.4.TCAD: 2D versus 3D
  •                                                          1.5.TCAD: Design Flow
  •                                                          1.6.Extending TCAD
  •                                                          1.7.Process Compact Model
  •                                                          1.8.Process-Aware Design
  •                                                          1.9.Design for Manufacturing
  •                                                          1.10.TCAD Calibration
  •                                                          1.11.TCAD Tools
  •                                                          1.12.Technology Boosters
  •                                                          1.13.BiCMOS Process Simulation
  •                                                          1.14.SiGe and SiGeC HBTs
  •                                                          1.15.Silicon Hetero-FETs
  •                                                          1.16.FinFETs
  •                                                          1.17.Advanced Devices
  •                                                          1.18.Memory Devices
  •                                                          1.19.Power Devices
  •                                                          1.20.Solar Cells
  •                                                          1.21.TCAD for SPICE Parameter Extraction
  •                                                          1.22.TCAD for DFM
  •                                                          1.23.VWF and Online Laboratory
  •                                                          1.24.Summary
  •                                                          2.1.History of Process and Device Simulation Tools
  •                                                          2.2.Commercial TCAD Tools
  •                                                          2.3.Silvaco Tool Overview
  •                                                          2.3.1.MaskViews
  •                                                          2.4.ATHENA
  •                                                          2.5.ATLAS
  •                                                          2.5.1.Physical Structure
  •                                                          2.5.2.Structure Editing
  •                                                          2.5.3.Meshing
  •                                                          2.5.4.Mesh Definition
  •                                                          2.5.5.Regions and Materials
  •                                                          2.5.6.Physical Models
  •                                                          2.5.6.1.Models
  •                                                         Contents note continued: 2.5.7.Impact Ionization Models
  •                                                          2.5.7.1.C-Interpreter functions
  •                                                          2.5.8.Gate Current Models
  •                                                          2.5.9.Bandgap Narrowing
  •                                                          2.5.10.Solution Methods
  •                                                          2.5.11.VictoryCell
  •                                                          2.5.12.VictoryProcess
  •                                                          2.5.13.VictoryStress
  •                                                          2.5.13.1.VictoryStress features and capabilities
  •                                                          2.5.14.VictoryDevice
  •                                                          2.6.Stress Modeling
  •                                                          2.6.1.Stress-Strain Relationship
  •                                                          2.6.2.Mobility
  •                                                          2.6.3.SmartSpice
  •                                                          2.7.Synopsys TCAD Platforms
  •                                                          2.7.1.Taurus-Device
  •                                                          2.7.2.Taurus-Process
  •                                                          2.7.3.Device Simulation
  •                                                          2.7.4.Carrier Recombination-Generation
  •                                                          2.7.4.1.Thin-layer mobility
  •                                                          2.7.4.2.High-k degradation mobility
  •                                                          2.7.5.Stress Effects
  •                                                          2.7.5.1.Band-to-band tunneling leakage current
  •                                                          2.8.Atomistic Simulation
  •                                                          2.8.1.GARAND
  •                                                          2.8.2.MYSTIC
  •                                                          2.8.3.RandomSPICE
  •                                                          2.9.Summary
  •                                                          3.1.Stress Engineering
  •                                                          3.1.1.Unintentional Mechanical Stress
  •                                                          3.2.Intentional Mechanical Stress
  •                                                          3.3.Stress-Engineered Transistors
  •                                                          3.3.1.CESL
  •                                                          3.3.2.STI Stress
  •                                                         Contents note continued: 3.4.Hybrid Orientation Technology
  •                                                          3.5.High-k/​Metal Gate
  •                                                          3.6.Stress Evolution during Semiconductor Fabrication
  •                                                          3.6.1.Stress Modeling Methodology
  •                                                          3.6.2.Stress Evolution during Thick Stress Layer Deposition
  •                                                          3.6.3.Stress Evolution in Thick Stress Layer Deposition in 3D
  •                                                          3.7.Summary
  •                                                          4.1.Ion Implantation Simulation
  •                                                          4.2.Optical Lithography Simulation
  •                                                          4.3.Contact-Printing Simulation
  •                                                          4.3.1.Nonplanar Lithography
  •                                                          4.4.BIT Process Simulation
  •                                                          4.4.1.Polysilicon Emitter Bipolar Technology
  •                                                          4.5.3D MOS Process Simulation
  •                                                          4.5.1.VictoryProcess
  •                                                          4.6.Summary
  •                                                          5.1.SiGe HBTs: Process and Device Simulation
  •                                                          5.2.High-Speed SiGe HBTs
  •                                                          5.3.SiGeC HBTs: Process and Device Simulation
  •                                                          5.4.Strain-Engineered SiGe HBTs
  •                                                          5.5.n-p-n SiGe HBTs with an Extrinsic Stress Layer
  •                                                          5.6.n-p-n SiGe HBT Device Employing a Si3N4 Strain Layer
  •                                                          5.7.n-p-n SiGe HBT Employing a SiO2 Strain Layer
  •                                                          5.8.Summary
  •                                                         Contents note continued: 6.1.Electronic Properties of Strained Si and SiGe
  •                                                          6.1.1.Hole Mobility
  •                                                          6.1.2.Electron Mobility
  •                                                          6.2.Strained-Si Channel p-MOSFETs
  •                                                          6.3.Summary
  •                                                          7.1.Basics of FinFETs
  •                                                          7.1.1.Stress-Enhanced Mobility in Embedded SiGe p-MOSFETs
  •                                                          7.2.Stress-Engineered FinFETs
  •                                                          7.2.1.VictoryCell Process Steps
  •                                                          7.2.2.Visualization and Analysis of Simulation Results, Extraction of Average Stresses, and Mobility Enhancement Factors
  •                                                          7.3.FinFET Design and Optimization
  •                                                          7.3.1.Simulation Setup
  •                                                          7.4.Summary
  •                                                          8.1.Ultrathin-Body SOI
  •                                                          8.2.Gate-First SOI
  •                                                          8.3.Gate-Last SOI
  •                                                          8.4.3D SDI n-MOSFET
  •                                                          8.5.TFT
  •                                                          8.6.HEMTs
  •                                                          8.6.1.Thermal Optimization Using a Flip-Chip Structure
  •                                                          8.7.A1GaN/​GaN HFET
  •                                                          8.8.3D SiC Process and Device Simulation
  •                                                          8.8.1.Device Simulation
  •                                                          8.9.Summary
  •                                                          9.1.Nanocrystal Floating-Gate Device
  •                                                          9.1.1.Advanced Nanocrystal Floating-Gate Devices with High-k Dielectrics
  •                                                          9.2.Technology Computer-Aided Design of Memory Devices
  •                                                         Contents note continued: 9.3.Process Simulation of Flash Memory Devices
  •                                                          9.4.Device Simulation of Flash Memory Devices
  •                                                          9.5.State Transition and Single-Event Upset in SRAM
  •                                                          9.6.Nanoscale SRAM
  •                                                          9.7.Summary
  •                                                          10.1.LDMOS
  •                                                          10.2.Vertically Diffused MOS Devices
  •                                                          10.3.Summary
  •                                                          11.1.Solar Cell Simulation
  •                                                          11.2.Organic Solar Cells
  •                                                          11.3.Tandem Solar Cells
  •                                                          11.4.3D Solar Cell Simulation
  •                                                          11.5.Summary
  •                                                          12.1.Compact Model Generation
  •                                                          12.2.Compact Modeling of HBTs
  •                                                          12.2.1.VBIC
  •                                                          12.2.2.MEXTRAM
  •                                                          12.2.3.HICUM
  •                                                          12.3.Device Characterization
  •                                                          12.3.1.ICCAP Device Modeling: 1/​f Noise Measurement Configuration
  •                                                          12.4.Parameter Extraction Methodology
  •                                                          12.5.UTMOST
  •                                                          12.5.1.BSIM3
  •                                                          12.5.2.Parameter Extraction
  •                                                          12.6.Summary
  •                                                          13.1.Process-Aware Design for Manufacturing
  •                                                          13.1.1.Seismos
  •                                                          13.1.2.Paramos
  •                                                          13.1.3.Fammos
  •                                                          13.2.TCAD for Manufacturing
  •                                                          13.3.TCAD for DFM
  •                                                          13.4.Process Compact Models
  •                                                          13.4.1.Process Parameterization
  •                                                         Contents note continued: 13.4.2.Process Calibration
  •                                                          13.4.3.TCAD Validation
  •                                                          13.4.4.PCM Simulation
  •                                                          13.5.Summary
  •                                                          14.1.Internet-Based TCAD Laboratory
  •                                                          14.2.Microelectronics and VLSI Engineering Laboratory Module
  •                                                          14.2.1.Integrated Technology CAD Laboratory
  •                                                          14.3.SPICE Parameter Extraction
  •                                                          14.4.Summary.
  •                                                         1. Introduction
  •                                                          2. Technology CAD tools
  •                                                          3. Technology boosters
  •                                                          4. BiCMOS process simulations
  •                                                          5. SiGe and SiGeC HBTs
  •                                                          6. Silicon hetero-FETs
  •                                                          7. FinFETs
  •                                                          8. Advanced devices
  •                                                          9. Memory devices
  •                                                          10. Power devices
  •                                                          11. Solar cells
  •                                                          12. TCAD for SPICE parameter extraction
  •                                                          13. Technology CAD for DFM
  •                                                          14. VWF and online laboratory.

发表于 2018-8-18 22:26:45 | 显示全部楼层
多谢分享
发表于 2018-8-19 19:08:20 | 显示全部楼层
thanks
发表于 2018-8-22 11:13:59 | 显示全部楼层
非常好的资料,谢谢楼主
发表于 2019-4-20 08:55:33 | 显示全部楼层
Thanks
发表于 2019-4-21 13:32:39 | 显示全部楼层
好东西
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

关闭

站长推荐 上一条 /2 下一条


小黑屋| 手机版| 关于我们| 联系我们| 在线咨询| 隐私声明| EETOP 创芯网
( 京ICP备:10050787号 京公网安备:11010502037710 )

GMT+8, 2024-12-22 23:04 , Processed in 0.020895 second(s), 7 queries , Gzip On, Redis On.

eetop公众号 创芯大讲堂 创芯人才网
快速回复 返回顶部 返回列表